Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/86782
COMPARTIR / EXPORTAR:
logo share SHARE BASE
Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL | DATACITE

Invitar a revisión por pares abierta
Título

Design of RTD-based NMIN/NMAX gates

AutorNúñez, Juan CSIC ORCID ; Quintana, J. M. CSIC ORCID; Avedillo, María J. CSIC ORCID
Fecha de publicación2008
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers
Citación8th IEEE Conference on Nanotechnology: 518-521 (2008)
ResumenA novel implementation of NMIN/NMAX gates based on RTDs and transistors is presented. In this paper we will derive the relations that circuit representative parameters must verify to obtain a correct behaviour by means of the principles of the Monostable-to-Multistable Logic (MML). HSPICE simulations will be used to check our theoretical results.
DescripciónTrabajo presentado al 8th NANO celebrado en Arlington (USA) del 18 al 21 de agosto de 2008.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1109/NANO.2008.155
URIhttp://hdl.handle.net/10261/86782
DOI10.1109/NANO.2008.155
Identificadoresdoi: 10.1109/NANO.2008.155
isbn: 978-1-4244-2103-9
Aparece en las colecciones: (IMSE-CNM) Libros y partes de libros




Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato
design of RTD.pdf438,51 kBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro completo

CORE Recommender

Page view(s)

308
checked on 15-abr-2024

Download(s)

265
checked on 15-abr-2024

Google ScholarTM

Check

Altmetric

Altmetric


NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.