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http://hdl.handle.net/10261/81888
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Título: | Electronic inhomogeneities in grapheme: the role of the substrate interaction and chemical doping |
Otros títulos: | Inhomogeneidades electrónicas en grafeno: el rol de la interacción con el substrato y el dopaje químico | Autor: | Castellanos-Gómez, Andrés CSIC ORCID ; Arramel; Wojtaszek, M.; Smit, R. H. M.; Tombros, N.; Agraït, Nicolás; Wees, B. J. van; Rubio-Bollinger, G. | Palabras clave: | Grafeno Graphene Electronic propertiers Propiedades electrónicas Bandgap Gap |
Fecha de publicación: | sep-2012 | Editor: | Grupo Español del Carbón | Citación: | Boletín del Grupo Español del Carbón (25): 18-22 (2012) | Resumen: | [EN] We probe the local inhomogeneities of the electronic
properties of graphene at the nanoscale using
scanning probe microscopy techniques. First, we
focus on the study of the electronic inhomogeneities
caused by the graphene-substrate interaction in
graphene samples exfoliated on silicon oxide. We
find that charged impurities, present in the graphenesubstrate
interface, perturb the carrier density
significantly and alter the electronic properties of
graphene. This finding helps to understand the
observed device-to-device variation typically observed
in graphene-based electronic devices. Second, we
probe the effect of chemical modification in the
electronic properties of graphene, grown by chemical
vapour deposition on nickel. We find that both the
chemisorption of hydrogen and the physisorption of
porphyrin molecules strongly depress the
conductance at low bias indicating the opening of a
bandgap in graphene, paving the way towards the
chemical engineering of the electronic properties of
graphene. [ES] Hemos estudiado las inhomogeneidades locales de las propiedades electrónicas del grafeno a escala nanométrica utilizando técnicas de microscopía de sonda próxima. En primer lugar, nos centramos en el estudio de las inhomogeneidades electrónicas causadas por la interacción del grafeno con el sustrato en muestras de grafeno exfoliado sobre óxido de silicio. Encontramos que las impurezas cargadas, presentes en la interfaz entre el grafeno y el sustrato, perturban considerablemente la densidad de portadores y alteran las propiedades electrónicas del grafeno. Este hallazgo ayuda a comprender la gran variabilidad entre distintos dispositivos que se observa típicamente en dispositivos electrónicos basados en grafeno. En segundo lugar, investigamos el efecto de la modificación química de las propiedades electrónicas de grafeno, crecido sobre níquel por depósito por vapor químico. Encontramos que tanto la quimisorción de hidrógeno como la fisisorción de moléculas de porfirina logran reducir fuertemente la conductancia a bajo voltaje, lo que indica la apertura de un gap en el grafeno, allanando el camino hacia el diseño químico de las propiedades electrónicas de grafeno. |
Versión del editor: | http://www.gecarbon.org/Boletines/articulos/boletinGEC_025_art.3.pdf | URI: | http://hdl.handle.net/10261/81888 | E-ISSN: | 2172-6094 |
Aparece en las colecciones: | (INCAR) Artículos |
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