Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/52233
COMPARTIR / EXPORTAR:
logo share SHARE BASE
Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL | DATACITE

Invitar a revisión por pares abierta
Título

Growth and characterization of AlAs/InAs superlattices on {100}, {211} and {311} GaAs substrates

AutorCastrillo, Pedro CSIC ORCID; Armelles Reig, Gaspar CSIC ORCID; Domínguez, Pablo S. CSIC; Meléndez Sánchez, Juan CSIC ORCID; Briones Fernández-Pola, Fernando CSIC; Ploog, K.
Fecha de publicación1992
EditorElsevier
CitaciónSurface Science 267: 413-417 (1992)
ResumenAlAs/InAs strained layer superlattices have been grown pseudomorphically on {100}, {311} and {211} GaAs substrates by atomic layer molecular beam epitaxy. Optical characterization has been performed by piezoreflectance and Raman spectroscopies. A two coupled modes linear chain model has been developed for {ξ11} (ξ = 2.3) superlattices phonon modes calculation taking into account the effect of strain. Phonon modes calculations for the {311} AlAs/InAs superlattice are in very good agreement with the experimental Raman results. © 1992.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/52233
Identificadoresissn: 0039-6028
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos




Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato
accesoRestringido.pdf15,38 kBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Mostrar el registro completo

CORE Recommender

Page view(s)

264
checked on 23-abr-2024

Download(s)

84
checked on 23-abr-2024

Google ScholarTM

Check


NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.