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Título

Weak-antilocalization signatures in the magnetotransport properties of individual electrodeposited Bi Nanowires

AutorMarcano, N.; Sangiao, S.; Fernández-Pacheco, Amalio; Córdoba, R.; Sánchez, María Concepción; Morellón, Luis; Ibarra, M. Ricardo; Teresa, José María de
Fecha de publicaciónfeb-2010
EditorAmerican Institute of Physics
CitaciónApplied Physics Letters 96(8): 082110 (2010)
ResumenWe study the electrical resistivity of individual Bi nanowires of diameter 100 nm fabricated by electrodeposition using a four-probe method in the temperature range 5–300 K with magnetic fields up to 90 kOe. Low-resistance Ohmic contacts to individual Bi nanowires are achieved using a focused ion beam to deposit W-based nanocontacts. Magnetoresistance measurements show evidence for weak antilocalization at temperatures below 10 K, with a phase-breaking length of 100 nm.
Descripción3 páginas, 3 figuras.-- et al.
Versión del editorhttp://dx.doi.org/10.1063/1.3328101
URIhttp://hdl.handle.net/10261/47783
DOI10.1063/1.3328101
ISSN0003-6951
E-ISSN1077-3118
Aparece en las colecciones: (ICMA) Artículos
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