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http://hdl.handle.net/10261/4690
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Título: | No volatilidad en láminas ferroeléctricas de SBT a 75°C |
Otros títulos: | Non-volatility of ferroelectric SBT thin fims, at 75ºC | Autor: | Jiménez, Ricardo CSIC ORCID; González, A.; Calzada, M. L. CSIC ORCID; Mendiola, J.; Alemany, C. | Palabras clave: | NVFeRAM SBT Temperatura Temperatures |
Fecha de publicación: | ene-2002 | Editor: | Sociedad Española de Cerámica y Vidrio | Citación: | Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 41(1): 22-26 (2002) | Resumen: | [ES] El estudio de la no volatilidad de una memoria FeRAM de tantalato de bismuto y estroncio, SrBi2Ta2O9 (SBT) en condiciones
reales de uso, requiere la caracterización ferroeléctrica del material en forma de lámina delgada a temperaturas por encima
del ambiente. Para ello se han depositado láminas de SBT mediante un método sol-gel, sobre substratos de
Pt/TiO2/SiO2/Si(100), seleccionándose condensadores de área 5.10-4 cm-2. Basándonos en las medidas de la variación de la
polarización con el tiempo (retención) realizadas a temperatura ambiente y a 75ºC, analizamos la viabilidad del material
como una FeRAM en condiciones reales de uso. [EN] The study of the non-volatility of Strontium bismuth tantalate SrBi2Ta2O9 (SBT) FeRAM memory, at real operating conditions, requires the ferroelectric characterisation of the material, as a thin film, above the room temperature.As a result, it has been deposited SBT films by the sol-gel method, onto Pt/TiO2/SiO2/Si (100) substrates, using capacitors of 5 x 10–4 cm-2 .In this work, we analysed the viability of this material as a FeRAM memory in real operating conditions, as a result of the variation of the polarisation measurements with time (retention), performed at room temperature and 75ºC. |
Versión del editor: | http://boletines.secv.es/es/index.php?id=42&vol=41 | URI: | http://hdl.handle.net/10261/4690 | ISSN: | 0366-3175 |
Aparece en las colecciones: | (ICMM) Artículos |
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