Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/4500
COMPARTIR / EXPORTAR:
logo share SHARE logo core CORE BASE
Visualizar otros formatos: MARC | Dublin Core | RDF | ORE | MODS | METS | DIDL | DATACITE

Invitar a revisión por pares abierta
Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorGonzález Sagardoy, María Ujuées_ES
dc.contributor.authorGonzález Díez, Yolandaes_ES
dc.contributor.authorGonzález Sotos, Luisaes_ES
dc.contributor.authorHerrera, Miriames_ES
dc.contributor.authorGonzález, Davides_ES
dc.date.accessioned2008-05-23T11:25:51Z-
dc.date.available2008-05-23T11:25:51Z-
dc.date.issued2004-03-
dc.identifier.citationBoletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 43(2): 373-375 (2004)es_ES
dc.identifier.issn0366-3175-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10261/4500-
dc.description.abstract[ES] El estudio mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) de capas InGaAs/GaAs(001) crecidas a 200ºC reflejó la existencia de una red de dislocaciones de Lomer en el seno de la capa, muy prometedora para la efectiva relajación de la estructura con una disminución en la densidad de dislocaciones de propagación. Sin embargo, la capa presentaba un grado de relajación deficiente, por lo que resultaba metaestable. Con el fin de aprovechar las ventajas que ofrecía dicha red de Lomer, se crecieron capas de desacoplo a 200ºC seguidas de una capa a 400º o 500ºC (en forma dinámica y escalonada) para relajar completamente la estructura. No obstante, no se consiguió reproducir la mencionada red, observándose otra constituida por dislocaciones de 60º, situada en la zona de cambio entre las dos temperaturas de crecimiento utilizadas. Las razones de este cambio se discuten en el trabajo.es_ES
dc.description.abstract[EN] Transmission Electron Microscopy study of low temperature (200º C) grown InGaAs/GaAs(001) layers showed an unexpected Lomer dislocation network in the middle of the layer, which appears as a promising one for the effective structure relaxation without a high density of threading dislocations. However, the layer remained metastable, due to a lack in the relaxation degree. To take advantage of such a network, buffers layers were grown at 200º C by ALMBE, followed by a layer grown at 400ºC or 500ºC (in a dynamic and a stepped way), in order to reach the complete relaxation of the structure. Nevertheless, the Lomer network did not appear, substituted by a 60º dislocations one, placed in the region with the growth temperature change. The reasons of this change are discussed.es_ES
dc.description.sponsorshipEl presente trabajo está subvencionado por los proyectos de investigación MAT2000-1625, MAT2001-3362 y por la Junta de Andalucía (PAI TEP-0120).es_ES
dc.format.extent213527 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherSociedad Española de Cerámica y Vidrioes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.subjectRelajaciónes_ES
dc.subjectDislocaciones de Lomeres_ES
dc.subjectCapas amortiguadorases_ES
dc.subjectInGaAs/GaAs(001)es_ES
dc.subjectTEMes_ES
dc.subjectRelaxationes_ES
dc.subjectLomer dislocationes_ES
dc.subjectBufferes_ES
dc.titleEstudio de capas de desacoplo de InGaAs/GaAs(001) por crecimiento combinado de MBE-ALMBE en forma dinámica y escalonadaes_ES
dc.title.alternativeStudy of InGaAs/GaAs(001) buffers by combined growth of ALMBE-MBE in dynamic or stepped wayes_ES
dc.typeartículoes_ES
dc.identifier.doi10.3989/cyv.2004.v43.i2.543-
dc.description.peerreviewedPeer reviewedes_ES
dc.relation.publisherversionhttp://dx.doi.org/10.3989/cyv.2004.v43.i2.543es_ES
dc.relation.csices_ES
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501es_ES
item.openairetypeartículo-
item.cerifentitytypePublications-
item.languageiso639-1es-
item.grantfulltextopen-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
item.fulltextWith Fulltext-
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Artículos
Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato
capas.pdf208,52 kBAdobe PDFVista previa
Visualizar/Abrir
Show simple item record

CORE Recommender

Page view(s)

409
checked on 28-mar-2024

Download(s)

218
checked on 28-mar-2024

Google ScholarTM

Check

Altmetric

Altmetric


NOTA: Los ítems de Digital.CSIC están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.