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Title

Intermediate-band material based on a semicontuctor compound of tin chalcogenide type

Other TitlesMaterial de banda intermedia basado en un compuesto semiconductor de tipo calcogenuro de estaño
AuthorsWahnón Benarroch, Perla ; Palacios Clemente, Pablo ; Sánchez Noriega, Kefrén; Aguilera Bonet, Irene; Conesa Cegarra, José Carlos ; Lucena García, Raquel
Issue Date17-Mar-2011
CitationWO2011029968 A2
Abstract[ES]La invención se refiere a compuestos formados mediante la introducción, dentro de un semiconductor de partida que es de tipo calcogenuro de estaño tetravalente octaédricamente coordinado, de un elemento de transición en posición octaédrica, para la fabricación de materiales o dispositivos para aplicaciones fotónicas. El elemento de transición genera una banda intermedia parcialmente ocupada separada de las de valencia y conducción del semiconductor de partida, según resulta de cálculos mecanocuánticos. Esto posibilita obtener, por absorción de dos fotones de energía inferior a la anchura de la banda prohibida del semiconductor de partida, un resultado equivalente al que se consigue absorbiendo un fotón de energía superior a dicha anchura en ausencia de banda intermedia. Usando el material de la invención se obtiene un mayor rendimiento y mejores prestaciones en diversos dispositivos de tipo fotovoltaico, fotocatalítico, fotoelectroquímico, optoelectrónico o de conversión fotónica.
[EN] he invention relates to compounds fonned by inserting, within a starting semiconductor of octahedrally coordinated tetravalent tin chalcogenide type, a transltlOn element, in an octahedral position, for the fabrication of material s or devices for use in photonics. The transition element generates a partially occupied intennediate band separated from the valence and conduction bands of the starting semiconductor, as results from quantum mechanical calculations. This makes it possible, by absorption of two photons having energy that is less than the bandgap of the starting semiconductor, to obtain a result equivalent to that which is achieved by absorbing a photon having energy greater than said bandgap in the absence of an intennediate bando Use of the material of the invention provides a greater yield and higher perfonnance levels in various photovoltaic, photocatalytic, photoelectrochemical, optoelectronic or photon-conversion devices.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/41263
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