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http://hdl.handle.net/10261/34051
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Title: | Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si |
Authors: | Mazuelas Esteban, Ángel José CSIC | Advisor: | González, Luisa | Issue Date: | 2002 | Publisher: | Universidad Complutense de Madrid CSIC - Centro Nacional de Microelectrónica (CNM) |
Abstract: | Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si. | Description: | 217 páginas, 89 figuras, 7 tablas.-- Tesis para optar al grado de Doctor en Ciencias Físicas presentada el 17-12-1992 por Ángel Mazuelas Esteban. | Publisher version (URL): | http://eprints.ucm.es/1895/ | URI: | http://hdl.handle.net/10261/34051 | ISBN: | 978-84-669-0436-0 |
Appears in Collections: | (IMN-CNM) Tesis |
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