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Open Access item Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si

Authors:Mazuelas, A.
Advisor:González, Luisa
Issue Date:2002
Publisher:Universidad Complutense de Madrid
CSIC - Centro Nacional de Microelectrónica (CNM)
Abstract:Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.
Description:217 páginas, 89 figuras, 7 tablas.-- Tesis para optar al grado de Doctor en Ciencias Físicas presentada el 17-12-1992 por Ángel Mazuelas Esteban.
Publisher version (URL):http://eprints.ucm.es/1895/
URI:http://hdl.handle.net/10261/34051
ISBN:978-84-669-0436-0
Appears in Collections:(IMM-CNM) Tesis

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