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Título : Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si
Autor : Mazuelas Esteban, Ángel José
Director: González, Luisa
Fecha de publicación : 2002
Editor: Universidad Complutense de Madrid
CSIC - Centro Nacional de Microelectrónica (CNM)
Resumen: Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.
Descripción : 217 páginas, 89 figuras, 7 tablas.-- Tesis para optar al grado de Doctor en Ciencias Físicas presentada el 17-12-1992 por Ángel Mazuelas Esteban.
Versión del editor: http://eprints.ucm.es/1895/
URI : http://hdl.handle.net/10261/34051
ISBN : 978-84-669-0436-0
Appears in Collections:(IMM-CNM) Tesis

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