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Caracterización de diodos Schottky Pt/GaAs de capa porosa mediante microscopía de efecto túnel

AuthorsPérez Murano, Francesc; Barniol, N.; Aymerich, X.; Lechuga, Laura M. CSIC ORCID
Issue Date1993
PublisherUniversidad de Cantabria
CitationMicroelectrónica 92. Tecnologías, Diseño, Aplicaciones: 108-110 (1993)
Abstract[EN] A characterization of the Pt metallization of the GaAs surface has been done with a scanning tunneling microscope in air. The results not only confirm the porous character of the deposition but also clearly differentiate between the metal spots and the semiconductor substrate by means of the spectroscopic images.
[ES] Se ha caracterizado mediante microscopía de efecto túnel a presión atmosférica la metalización de GaAs con Pt. Los resultados obtenidos no sólo confirman el carácter poroso de la deposición, sino que también permiten distinguir claramente los centros de metal del substrato semiconductor mediante las imágenes espectroscópicas.
Description3 páginas.
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Appears in Collections:(IMN-CNM) Libros y partes de libros

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