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Título

InGaAs Quantum dots with soft confinement potential for longer wavelength emission

AutorRipalda, José María CSIC ORCID ; Granados, Daniel CSIC ORCID; García Martínez, Jorge Manuel CSIC ORCID CVN ; González Díez, Yolanda CSIC ORCID; González Sotos, Luisa CSIC ORCID
Fecha de publicaciónsep-2004
CitaciónTrends in Nanotechnology Conference-TNT (2004)
ResumenThe use of nanostructures in the active regions of optoelectronic devices has already demonstrated to improve the previously predicted figures of merit of, for example, laser devices with quantum wells.
Descripción1 página.-- Presentado en el congreso TNT 2004, 13-17 septiembre, Segovia.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/29125
Aparece en las colecciones: (IMN-CNM) Comunicaciones congresos




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