Un material cerámico piezoeléctrico de alta temperatura de bisco3-pbtio3, diseñado químicamente para potenciar la respuesta en voltaje y procedimiento para obtener dicho material cerámico

Abstract

[ES] Un material cerámico piezoeléctrico de alta temperatura de bisco3-pbtio3, diseñado químicamente para potenciar la respuesta en voltaje y procedimiento para obtener dicho material cerámico. La invención se refiere a un material cerámico piezoeléctrico de alta temperatura bisco3-pbtio3 de fórmula Bi1-x+2yPbx-3ySc1-xTixO3, en la que x varía de 0,64 a 0,68 e y varía de 0,01 a 0,025 que incluye un defecto puntual bajo diseño para potenciar la respuesta en voltaje. Además, la invención se refiere a un procedimiento para obtener dicho material cerámico por sinterización convencional de polvos nanocristalinos sintetizados por activación mecanoquímica de una mezcla estequiométrica de precursores. Finalmente, la invención se refiere también al uso de material cerámico biScO3-PbTiO3 diseñado químicamente como parte de dispositivos detectores y dispositivos de detección de campo magnético.

[EN] The invention relates to a high temperature piezoelectric BiScO3-PbTiO3 ceramic material of formula Bi1-x+2yPbx-3ySc1-xTixO3, wherein x ranges from 0.64 to 0.68 and y ranges from 0.01 to 0,025, which includes a point defect engineering for enhanced voltage response. Furthermore, the invention refers to a procedure for obtaining said ceramic material by conventional sintering of nanocrystalline powders synthesized by mechanochemical activation of a stoichiometric mixture of precursors. Finally, the invention also relates to the use of the chemically engineered BiScO3-PbTiO3 ceramic material as part of sensing devices and magnetic sensing devices.