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Invitar a revisión por pares abierta
Título

Sensor de presión capacitivo con capacitancias de referencia y método de obtención del mismo

Otros títulosCapacitive pressure sensor with reference capacitors and method for obtaining same
AutorSacristán-Riquelme, Jordi; Bohórquez Reyes, Juan Carlos; Segura-Quijano, Fredy; Achury Florian, Álvaro Uriel; Unigarro Calpa, Edgar Alberto; Ramírez Rodríguez, Fernando
Fecha de publicación26-jul-2017
CitaciónES2627013 B1
Resumen[ES] Sensor de presión capacitivo con capacitancias de referencia y método de obtención del mismo. La presente invención es un sensor (1) de presión capacitivo con capacitancias de referencia (13, 13'), susceptible de ser integrado monolíticamente en un circuito microelectrónico. Este sensor (1) de presión comprende: un primer electrodo sensor (9) insertado en una capa de material aislante donde también se encuentran las capacitancias de referencia (13, 13'), dos electrodos de referencia (10, 10') separados entre ellos por el primer electrodo sensor (9), una cavidad hermética (12) sobrepuesta al primer electrodo sensor (9), dos muros de conexión (11) que confinan al primer electrodo (9), a los dos electrodos de referencia (10, 10') y a la cavidad hermética (12), en donde esta cavidad hermética (12) está cubierta por un segundo electrodo sensor (8) que cuando es deformado por una fuerza externa varía la capacitancia.
[EN] The invention relates to a capacitive pressure sensor (1) with reference capacitors (13, 13'), which comprises a vacuum-sealed hermetic cavity (12) disposed on an insulating layer into which are inserted a first sensor electrode (9) and two reference electrodes (10, 10') that do not increase the total area of the sensor. A second sensor electrode (8) integrated into a flexible membrane covers the cavity (12). When an external force deforms the membrane, the capacitor (7) between the electrode sensors (8) and (9) varies, while the capacitors (13, 13') between the electrode (8) and the reference electrodes (10, 10') serve as a reference, so that the deformation of the membrane close to the electrodes (10, 10') is minimal. The sensor also comprises two walls (11) that earth the electrode (8), thereby shielding the sensor against external electromagnetic interference. The method for obtaining the sensor allows the monolithic integration of same into microelectronic circuits.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/176741
Aparece en las colecciones: (IMB-CNM) Patentes




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