Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ a jonction JFET

Abstract

[FR] L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ de type à grille en tranchée comprenant : • - la formation (110) d'au moins une tranchée (11, 12, 13) dans un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité, ledit substrat comprenant deux faces opposées dite face avant et face arrière, • - l'implantation primaire (120) d'ions ayant un deuxième type de conductivité de sorte à implanter chaque tranchée du substrat pour former une région active de grille, • - le dépôt (160) d'une couche de silicium poly-cristallin du deuxième type de conductivité sur la région active de grille implantée, • - l'oxydation (160) de la couche de silicium poly-cristallin, et • - la métallisation (180) du substrat sur ses faces avant et arrière pour former des régions actives de source et de drain

[EN] The invention concerns a method for producing a field effect transistor having a trench gate comprising: • - the forming (110) of at least one trench (11, 12, 13) in a semi-conductive substrate (1) having a first type of conductivity, said substrate comprising two opposing faces called front face and rear face, • - the primary implantation (120) of ions having a second type of conductivity so as to implant each trench of the substrate to form an active gate area, • - the depositing (160) of a layer of polycrystalline silicon having the second type of conductivity on the implanted active gate area, • - the oxidation (160) of the layer of polycrystalline silicon, and • - the metallisation (180) of the substrate on the front and rear faces of same in order to form active source and drain areas