Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de puntos cuánticos de InAs sobre GaAs(001) con control en su lugar de formación para su integración en microcavidades ópticas

Por favor, use este identificador para citar o enlazar a este item: http://hdl.handle.net/10261/130380

COMPARTIR / EXPORTAR:

SHARE BASE	Comparte tu historia de Acceso Abierto
Visualizar otros formatos: MARC \| Dublin Core \| RDF \| ORE \| MODS \| METS \| DIDL \| DATACITE
Refman EndNote Bibtex RefWorks Excel CSV PDF DataCite Send via email

Título:	Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de puntos cuánticos de InAs sobre GaAs(001) con control en su lugar de formación para su integración en microcavidades ópticas
Autor:	Herranz Zamorano, Jesús CSIC ORCID
Director:	González Díez, Yolanda CSIC ORCID
Fecha de publicación:	10-dic-2015
Editor:	CSIC - Instituto de Microelectrónica de Madrid (IMM-CNM) Universidad Complutense de Madrid
Descripción:	Tesis presentada en la Facultad de Ciencias Físicas (Departamento de Física de Materiales) de la Universidad Complutense de Madrid (UCM) para optar al grado de Doctor en Física.
URI:	http://hdl.handle.net/10261/130380
Aparece en las colecciones:	(IMN-CNM) Tesis