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http://hdl.handle.net/10261/104233
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Título: | Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor |
Autor: | Moreno Sierra, César; Pfattner, Raphael CSIC ORCID ; Mas Torrent, Marta CSIC ORCID; Puigdollers-González, Joaquim; Bromley, Stefan T.; Rovira, Concepció CSIC ORCID; Veciana, Jaume CSIC ORCID CVN; Alcubilla-González, Ramón | Palabras clave: | High-mobility Crystals Dithiophene-etrathiafulvalene Probe force microscopy Field-effect transistors |
Fecha de publicación: | 2012 | Editor: | Royal Society of Chemistry (UK) | Citación: | Journal of Materials Chemistry 22(2): 345- 348 (2012) | Resumen: | Theoretical and experimental investigations combining in situ Kelvin probe microscopy (KPM) and macroscopic electrical studies are employed to explore the intrinsic transport in dithiophene-tetrathiafulvalene (DT-TTF) single crystal organic field-effect transistors. Our work demonstrates that ambipolar behavior is not restricted only to materials possessing a high electron affinity and thus may be a more general phenomenon. © 2012 The Royal Society of Chemistry. | URI: | http://hdl.handle.net/10261/104233 | DOI: | 10.1039/c1jm15037e | Identificadores: | doi: 10.1039/c1jm15037e issn: 0959-9428 e-issn: 1364-5501 |
Aparece en las colecciones: | (ICMAB) Artículos |
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