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Invitar a revisión por pares abierta
Título

Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor

AutorMoreno Sierra, César; Pfattner, Raphael CSIC ORCID ; Mas Torrent, Marta CSIC ORCID; Puigdollers-González, Joaquim; Bromley, Stefan T.; Rovira, Concepció CSIC ORCID; Veciana, Jaume CSIC ORCID CVN; Alcubilla-González, Ramón
Palabras claveHigh-mobility
Crystals
Dithiophene-etrathiafulvalene
Probe force microscopy
Field-effect transistors
Fecha de publicación2012
EditorRoyal Society of Chemistry (UK)
CitaciónJournal of Materials Chemistry 22(2): 345- 348 (2012)
ResumenTheoretical and experimental investigations combining in situ Kelvin probe microscopy (KPM) and macroscopic electrical studies are employed to explore the intrinsic transport in dithiophene-tetrathiafulvalene (DT-TTF) single crystal organic field-effect transistors. Our work demonstrates that ambipolar behavior is not restricted only to materials possessing a high electron affinity and thus may be a more general phenomenon. © 2012 The Royal Society of Chemistry.
URIhttp://hdl.handle.net/10261/104233
DOI10.1039/c1jm15037e
Identificadoresdoi: 10.1039/c1jm15037e
issn: 0959-9428
e-issn: 1364-5501
Aparece en las colecciones: (ICMAB) Artículos




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