2024-03-29T02:03:07Zhttp://digital.csic.es/dspace-oai/requestoai:digital.csic.es:10261/412632018-08-02T07:36:48Zcom_10261_101com_10261_5col_10261_1362
2011-10-18T07:49:39Z
urn:hdl:10261/41263
Intermediate-band material based on a semicontuctor compound of tin chalcogenide type
Wahnón Benarroch, Perla
Palacios Clemente, Pablo
Sánchez Noriega, Kefrén
Aguilera Bonet, Irene
Conesa Cegarra, José Carlos
Lucena García, Raquel
[ES]La invención se refiere a compuestos formados mediante la introducción, dentro de un semiconductor de partida que es de tipo
calcogenuro de estaño tetravalente octaédricamente coordinado, de un elemento de transición en posición octaédrica, para la
fabricación de materiales o dispositivos para aplicaciones fotónicas. El elemento de transición genera una banda intermedia
parcialmente ocupada separada de las de valencia y conducción del semiconductor de partida, según resulta de cálculos
mecanocuánticos. Esto posibilita obtener, por absorción de dos fotones de energía inferior a la anchura de la banda prohibida del
semiconductor de partida, un resultado equivalente al que se consigue absorbiendo un fotón de energía superior a dicha anchura
en ausencia de banda intermedia. Usando el material de la invención se obtiene un mayor rendimiento y mejores prestaciones en
diversos dispositivos de tipo fotovoltaico, fotocatalítico, fotoelectroquímico, optoelectrónico o de conversión fotónica.
[EN] he invention relates to compounds
fonned by inserting, within a starting
semiconductor of octahedrally coordinated
tetravalent tin chalcogenide type, a transltlOn
element, in an octahedral position, for the
fabrication of material s or devices for use in
photonics. The transition element generates a
partially occupied intennediate band separated
from the valence and conduction bands of the
starting semiconductor, as results from quantum
mechanical calculations. This makes it possible, by
absorption of two photons having energy that is
less than the bandgap of the starting
semiconductor, to obtain a result equivalent to that
which is achieved by absorbing a photon having
energy greater than said bandgap in the absence of
an intennediate bando Use of the material of the
invention provides a greater yield and higher
perfonnance levels in various photovoltaic,
photocatalytic, photoelectrochemical,
optoelectronic or photon-conversion devices.
2011-10-18T07:49:39Z
2011-10-18T07:49:39Z
2011-03-17
2009-09-11
solicitud de patente
WO2011029968 A2
http://hdl.handle.net/10261/41263
PCT/ES2010/000339
spa
WO2011029968 A3(2011-07-14)
openAccess