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Firma en Digital.CSIC (*):
López Sancho, José María
 
Centro o Instituto:
CSIC - Instituto de Física Fundamental (IFF)
 
Departamento:
Departamento Partículas, Campos y Cosmología
 
Categoría Profesional:
Profesor de Investigación
 
Especialización:
Ha trabajado didáctica de la física, física de superficies, electrónica y ciencia de materiales, habiendo publicado numerosos trabajos de investigación en estas áreas. Es autor de diversos trabajos de investigación en el aula y de algunos libros de didáctica de la ciencia.
 
Email:
lopezsancho@iff.csic.es
 
 

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RightsPreviewIssue DateTitleAuthor(s)Type
1openAccessCritical.pdf.jpg15-Jul-2005Critical behavior of the single-particle spectral weight in the ionic Hubbard modelRefolio Refolio, María del Carmen ; López Sancho, José María  ; Rubio, J. artículo
2openAccessexp_curie_museo_virtual_csic.pdf.jpg6-Oct-2014Una descripción del experimento de los CurieLópez Sancho, José María  ; Moreno Gómez, Esteban artículo
3openAccessMCRefolio.pdf.jpg1999Dynamical correlation-hole approach to the Hubbard modelRefolio, Esther ; López Sancho, José María  ; Rubio, J. ; López-Sancho, María Pilar artículo
4closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg2014El CSIC cumple 75 añosMartínez-Ripoll, Martín ; López Sancho, José María  ; Moreno Gómez, Esteban artículo
5closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1997Electron-Hole Shake-Up in Adsorption Systems: Halogens on Semiconductor SurfacesRefolio, M. C.; López Sancho, José María  ; Rubio, J. ; López-Sancho, María Pilar artículo
6closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1998Long-lived core-hole excited states and high-energy thresholds in stimulated desorption processes: Cl/Si(100)-(2 × 1)Refolio, M. C.; López Sancho, José María  ; López-Sancho, María Pilar ; Rubio, J. artículo
7closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1997Many-body study of ionic states in adsorption systems: Cl-Si(100)-(2 × 1)Refolio, M. C.; López Sancho, José María  ; Rubio, J. ; López-Sancho, María Pilar artículo
8openAccessJAMartinG.pdf.jpg1998Semiconductor-metal transition of the single-domain K/Si(100)-(2×1) interface by Fermi-surface determinationMartín-Gago, José A.  ; Asensio, Maria C.; Aebi, P.; Fasel, Román; Naumovic, D.; Osterwalder, J.; Refolio, M. C.; López Sancho, José María  ; Rubio, J. artículo
9closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1999Study of the electronic bonding of Cl-Si(100) by synchrotron radiation photoemission spectroscopy and many-body calculationsMartín-Gago, José A.  ; Román, E.; Refolio, M. C.; López Sancho, José María  ; Rubio, J. ; Hellner, L.; Comtet, G.artículo
10openAccessTemperature.pdf.jpg1-Feb-2002Temperature-dependent gaps in the half-filled Hubbard model on a triangular latticeRefolio Refolio, María del Carmen ; López Sancho, José María  ; Rubio, J. artículo