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Browsing by Author Millán, José

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RightsPreviewIssue DateTitleAuthor(s)Type
closedAccess2008A heterodyne method for the thermal observation of the electrical behavior of high-frequency integrated circuitsAltet, J.; Aldrete Vidrio, E.; Mateo, D.; Perpiñà, X.; Jordà, Xavier; Vellvehi Hernández, Miquel; Millán, José; Salhi, A.; Grauby, Stéphane; Claeys, W.; Dilhaire, S.artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpgMar-2006A SiC microdevice for the minimally invasive monitoring of ischemia in living tissuesGómez, Rodrigo; Ivorra Cano, Antoni; Villa, Rosa; Godignon, Philippe; Millán, José; Erill, Iván; Solà, Anna M. ; Hotter, Georgina ; Palacios, Luisartículo
openAccess2140049_T3.pdf.jpg16-Feb-2000Componenete limitador de corriente y procedimiento de realizaciónGodignon, Philippe; De Palma, Jean-François; Deshayes, René; Fernández, Juan; Millán, Josépatente
openAccessARTICULOS13057[1].pdf.jpg2005Development of an analog processing circuit for IR-radiation power and noncontact position measurementsPerpiñà, X.; Jordà, Xavier; Vellvehi Hernández, Miquel; Millán, Joséartículo
openAccesssensores.pdf.jpgMar-2004Estudio de puertas catalíticas en sensores de gas en tecnología de SiCGodignon, Philippe; Casals, O.; Haffar, M.; Barcones, B.; Romano, A.; Serre, C.; Pérez, A.; Morante, J. R.; Montserrat, J.; Millán, Joséartículo
closedAccess2007Failure-relevant abnormal events in power inverters considering measured IGBT module temperature inhomogeneitiesPerpiñà, X.; Castellazzi, A.; Pitón, M.; Mermet-Guyennet, M.; Millán, Joséartículo
openAccessARTICULOS13303[1].pdf.jpg2009GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor inversion channel mobility modelingPérez-Tomás, A.; Placidi, A.; Perpiñà, X.; Constant, A.; Godignon, Philippe; Jordà, Xavier; Brosselard, P.; Millán, Joséartículo
closedAccessOct-2008Hot-Spot Detection in Integrated Circuits by Substrate Heat-Flux SensingPerpiñà, X.; Altet, J.; Jordà, Xavier; Vellvehi Hernández, Miquel; Millán, José; Mestres, Narcís artículo
closedAccess2004Internal infrared laser deflection system: a tool for power device characterizationPerpiñà, X.; Jordà, Xavier; Mestres, Narcís ; Vellvehi Hernández, Miquel; Godignon, Philippe; Millán, José; Kiedrowski, H. vonartículo
closedAccess2007Local thermal cycles determination in thermosyphon-cooled traction IGBT modules reproducing mission profilesPerpiñà, X.; Pitón, M.; Mermet-Guyennet, M.; Jordà, Xavier; Millán, Joséartículo
closedAccessJul-2011Low-cost and versatile thermal test chip for power assemblies assessment and thermometric calibration purposesJordà, Xavier; Perpiñá Giribet, Xavier; Vellvehi Hernández, Miquel; Madrid, Francesc ; Flores, David; Hidalgo, Salvador; Millán, Joséartículo
closedAccessNov-2010Low-cost trench isolation technique for reverse blocking IGBT using boron nitride doping wafersVellvehi Hernández, Miquel; Gálvez Sánchez, José Luis ; Perpiñá Giribet, Xavier; Jordà, Xavier; Godignon, Philippe; Millán, Joséartículo
openAccessUS9356113B2.pdf.jpg31-May-2016Method of producing a junction field-effect transistor (JFET)Tournier, Dominique; Chevalier, Florian; Godignon, Philippe; Millán, Josésolicitud de patente
openAccessUS2015349084A1.pdf.jpg3-Dec-2015Method of producing a junction field-effect transistor (JFET)Tournier, Dominique; Chevalier, Florian; Godignon, Philippe; Millán, Josésolicitud de patente
openAccessEVENTOS314272[1].pdf.jpgDec-2010New Challenges of Power Electronics in Energy ManagementMillán, Josépresentación
openAccessWO2014037628A1.pdf.jpg13-Mar-2014Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ a jonction JFETTournier, Dominique; Chevalier, Florian; Godignon, Philippe; Millán, Josésolicitud de patente
openAccessEP2893566B1.pdf.jpg18-May-2016Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ a jonction JFETTournier, Dominique; Chevalier, Florian; Godignon, Philippe; Millán, Josésolicitud de patente
openAccessES2586331T3.pdf.jpg13-Oct-2016Procedimiento de fabricación de un transistor de efecto de campo de unión JFETTournier, Dominique; Chevalier, Florian; Godignon, Philippe; Millán, Josétraducción de patente
closedAccessOct-2004Self-heating experimental study of 600 V PT-IGBTs under low dissipation energiesPerpiñà, X.; Jordà, Xavier; Mestres, Narcís ; Vellvehi Hernández, Miquel; Godignon, Philippe; Millán, Joséartículo
closedAccess2006Temperature measurement on series resistance and devices in power packs based on on-state voltage drop monitoring at high currentPerpiñà, X.; Serviere, J. F.; Mermet-Guyennet, M.; Millán, Joséartículo