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2013A shadowed off-axis production of Ge nanoparticles in Ar gas atmosphere by pulsed laser depositionMartín-Sánchez, Javier; Chahboun, A.; Pinto, S. R. C.; Rolo, A. G.; Marques, L.; Serna, Rosalía; Vieira, E. M. F.; Ramos, M. M. D.; Gomes, M. J. M.Artículo
2012Carrier storage in Ge nanoparticles produced by pulsed laser depositionMartín-Sánchez, Javier; Chahboun, A.; Gomes, M. J. M.; Rolo, A. G.; Pivac, B.; Capan, I.Artículo
2013Charge trapping properties and retention time in amorphous SiGe/SiO 2 nanolayersVieira, E. M. F.; Díaz, R.; Grisolia, J.; Parisini, A.; Martín-Sánchez, Javier; Levichev, S.; Rolo, A. G.; Chahboun, A.; Gomes, M. J. M.Artículo
29-May-2009Crecimiento selectivo de InAs sobre substratos grabados de GaAs(001) mediante litografía de oxidación local por AFMMartín-Sánchez, JavierTesis
2011Different strategies towards the deterministic coupling of a single Quantum Dot to a photonic crystal cavity modePrieto, I.; Herranz, Jesús; González, Yolanda; Postigo, Pablo Aitor; Alén, Benito; González, Luisa; Martín-Sánchez, Javier; Martínez Rodríguez, Luis Javier; Kaldirim, M.; Fuster, David; Canet-Ferrer, J.; Muñoz-Matutano, G.; Martínez-Pastor, JuanComunicación de congreso
2012Effect of Pt bottom electrode texture selection on the tetragonality and physical properties of Ba 0.8Sr 0.2TiO 3 thin films produced by pulsed laser depositionSilva, J. P. B.; Sekhar, K. C.; Almeida, A.; Moreira, J. A.; Martín-Sánchez, Javier; Pereira, M.; Khodorov, A.; Gomes, M. J. M.Artículo
2010Emission properties of single InAs/GaAs quantum dot pairs and molecules grown in GaAs nanoholesMuñoz-Matutano, G.; Canet-Ferrer, J.; Alonso-González, Pablo; Alén, Benito; Fernández-Martínez, Iván; Martín-Sánchez, Javier; Fuster, David; Martínez-Pastor, Juan; González, Yolanda; Briones Fernández-Pola, Fernando; González, LuisaArtículo
5-Sep-2010Growth of low-density vertical quantum dot molecules with control in energy emissionAlonso-González, Pablo; González, Luisa; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; Fuster, David; Sales, D. L.; Hernández-Maldonado, D.; Herrera, Miriam; Molina, Sergio I.Artículo
2012Influence of annealing conditions on the formation of regular lattices of voids and Ge quantum dots in an amorphous alumina matrixPinto, S. R. C.; Martín-Sánchez, Javier; Ramos, A. R.; Barradas, N. P.; Gomes, M. J. M.Artículo
2013Influence of RF-sputtering power on formation of vertically stacked Si 1-xGex nanocrystals between ultra-thin amorphous Al 2O3 layers: Structural and photoluminescence propertiesVieira, E. M. F.; Martín-Sánchez, Javier; Roldán, M. A.; Varela, M.; Buljan, M.; Bernstorff, S.; Barradas, N. P.; Franco, N.; Correia, M. R.; Rolo, A. G.; Pennycook, S. J.; Molina, S. I.; Alves, E.; Chahboun, A.; Gomes, M. J. M.Artículo
4-Nov-2008Low density InAs quantum dots with control in energy emission and top surface locationAlonso-González, Pablo; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; González, Luisa; Fuster, DavidArtículo
7-Aug-2007New process for high optical quality InAs quantum dots grown on patterned GaAs(001) substratesAlonso-González, Pablo; González, Luisa; González, Yolanda; Fuster, David; Fernández-Martínez, Iván; Martín-Sánchez, Javier; Abelmann, LeonArtículo
Sep-2006Ordered InAs QDs using prepatterned substrates by monolithically integrated porous aluminaAlonso-González, Pablo; Martín-González, Marisol S.; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; González, LuisaArtículo
2013Shadowed off-axis production of Ge nanoparticles in Ar gas atmosphere by pulsed laser deposition: Morphological, structural and charge trapping propertiesMartín-Sánchez, Javier; Capan, I.; Chahboun, A.; Pinto, S. R. C.; Vieira, E. M. F.; Rolo, A. G.; Gomes, M. J. M.Artículo
6-Aug-2014Size-controlled Ge nanostructures for enhanced Er3+ light emissionMartín-Sánchez, Javier; Serna, Rosalía; Toudert, Johann; Alén, Benito; Ballesteros, CarmenArtículo
14-Dec-2010Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dotsTaboada, A. G.; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Bozkurt, M.; Alonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Rivera, Antonio; Ripalda, José María; Llorens, José Manuel; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; Ulloa, J. M.; García, Jorge M.; Molina, Sergio I.; Koenraad, P. M.Artículo
9-May-2009Surface Localization of Buried III–V Semiconductor NanostructuresAlonso-González, Pablo; González, Luisa; Fuster, David; Martín-Sánchez, Javier; González, YolandaArtículo
2010Theoretical modelling of quaternary GaInAsSb/GaAs self-assembled quantum dotsLlorens, José Manuel; Taboada, A. G.; Ripalda, José María; Alonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Martín-Sánchez, Javier; García, Jorge M.; González, Yolanda; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Galindo, P. L.; Molina, Sergio I.Artículo

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