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Fecha de publicaciónTítuloAutor(es)Tipo
2012A bottom-up valence bond derivation of excitation energies in 1D-like delocalized systemsKepenekian, M.; Robert, V.; Boilleau, C.; Malrieu, J.-P.Artículo
2013Electron transport through dangling-bond silicon wires on H-passivated Si(100)Kepenekian, M.; Novaes, Frederico D.; Robles, Roberto; Monturet, Serge; Joachim, Christian; Lorente, N.Artículo
2013Leakage current in atomic-size surface interconnectsKepenekian, M.; Robles, Roberto; Joachim, Christian; Lorente, N.Artículo
jun-2013Surface-state engineering for interconnects on H-passivated Si(100)Robles, Roberto; Kepenekian, M.; Joachim, Christian; Lorente, N.Presentación
2013Surface-state engineering for interconnects on H-passivated Si(100)Kepenekian, M.; Robles, Roberto; Joachim, Christian; Lorente, N.Artículo
2013Vibrational transition rule during a through-bond electron transfer processMonturet,Serge; Kepenekian, M.; Robles, Roberto; Lorente, N.; Joachim, ChristianArtículo

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