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Jul-2001A growth method to obtain flat and relaxed In0.2Ga0.8As on GaAs (0 0 1) developed through in situ monitoring of surface topography and stress evolutionGonzález, María Ujué; González, Yolanda; González, Luisa; Calleja, Montserrat; Silveira, Juan Pedro; García, Jorge M.; Briones Fernández-Pola, FernandoComunicación de congreso
Jul-2008A Method to Determine the Strain and Nucleation Sites of Stacked Nano-ObjectsMolina, Sergio I.; Varela, M.; Ben, Teresa; Sales, D. L.; Pizarro, J.; Galindo, P. L.; Fuster, David; González, Yolanda; González, Luisa; Pennycook, S. J.Artículo
Dec-1994A study of the defect structure in GaAs layers grown at low and high temperatures on Si(001) substratesAragón, G.; Molina, Sergio I.; Pacheco, F. J.; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, Fernando; García, RafaelComunicación de congreso
1993A Study of the Defect Structure in GaAS1−xPx/GaAs AS x<0.25Aragón, G.; Castro, M. J. de; Molina, Sergio I.; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, Fernando; García, RafaelComunicación de congreso
1993A study of the evolution process of antiphase boundaries in GaAs on SiMolina, Sergio I.; Aragón, G.; García, Rafael; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
Feb-1997Advantages of thin interfaces in step-graded buffer structuresGonzález, David; Araújo, D.; González, Luisa; González, Yolanda; Aragón, G.; García, RafaelComunicación de congreso
30-Apr-2002AFM and TEM study of the lateral composition modulation in etched and photo etched InxGa1−xP epitaxial layersEremenko, V.; González, Luisa; González, Yolanda; Vdovin, V.; Vázquez, Luis; Aragón, G.; Herrera, Miriam; Briones Fernández-Pola, FernandoPóster
Jan-1995Atomic core structure of Lomer dislocation at GaAs/(001)Si interfaceVilà, A.; Cornet, A.; Morante, J. R.; González, Yolanda; González, Luisa; Ruterana, P.Artículo
1995Atomic layer molecular beam epitaxy growth of GaAs1−xPx layers: Study of P2 incorporation by the reflectance difference techniqueGonzález, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
28-Jun-2011Band-gap renormalization in InP/GaxIn1-xP quantum dotsNowak, A. K.; Gallardo, E.; van der Meulen, H. P.; Calleja, J. M.; Ripalda, José María; González, Luisa; González, YolandaArtículo
2004Caracterización in situ de la morfología y los procesos de relajación durante el crecimiento mediante epitaxia por haces moleculares de heteroestructuras de semiconductores III-VGonzález, Luisa; González, Yolanda; González, María UjuéTesis
25-Sep-2008Carrier recombination effects in strain compensated quantum dot stacks embedded in solar cellsAlonso-Álvarez, D.; Taboada, A. G.; Ripalda, José María; Alén, Benito; González, Yolanda; González, Luisa; García, Jorge M.; Briones Fernández-Pola, Fernando; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I.Artículo
27-Jul-2011Charge control in laterally coupled double quantum dotsMuñoz-Matutano, G.; Royo, M.; Climente, J. I.; Canet-Ferrer, J.; Fuster, David; Alonso-González, Pablo; Fernández-Martínez, Iván; Martínez-Pastor, Juan; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, Fernando; Alén, BenitoArtículo
Jan-2009Column-by-column compositional mapping by Z-contrast imagingMolina, Sergio I.; Sales, D. L.; Galindo, P. L.; Fuster, David; González, Yolanda; Alén, Benito; González, Luisa; Varela, M.; Pennycook, S. J.Artículo
2-Dec-1996Comparison of the crystalline quality of step-graded and continuously graded InGaAs buffer layersKidd, P.; González, Luisa; González, Yolanda; García, Rafael; González, David; Goodhew, P. J.Artículo
1997Composition characterization of III-V semiconductor heterostructures by friction force microscopyGarcía, Rafael; Tamayo, Javier; González, Luisa; González, YolandaComunicación de congreso
2004Composition Modulation in Low Temperature Growth of InGaAs/GaAs System: Influence on Plastic RelaxationHerrera, Miriam; González, David; González, María Ujué; González, Yolanda; González, Luisa; García, RafaelArtículo
15-Apr-1996Compositional mapping of semiconductor structures by friction force microscopyTamayo, Javier; González, Luisa; González, Yolanda; García García, RicardoArtículo
Mar-2004Confinement in self-assembled InAs/InP quantum wires studied by magneto-photoluminescenceMaes, J.; Hayne, M.; González, Yolanda; González, Luisa; Fuster, David; García, Jorge M.; Moshchalkov, V. V.Comunicación de congreso
29-May-2009Crecimiento selectivo de InAs sobre substratos grabados de GaAs(001) mediante litografía de oxidación local por AFMGonzález, Yolanda; Martín-Sánchez, JavierTesis

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