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Fecha de publicaciónTítuloAutor(es)Tipo
abr-1981A charge density wave model for reconstructed monolayers of Co on Cu(100)González, Luisa; Ferrer, S.; Salmerón, Miquel; Vergés, José A.; Ynduráin, FélixArtículo
nov-1996A General Approach to Measurement of Band Offsets of Near-GaAs AlloysWhitaker, M. F.; González, LuisaArtículo
jul-2001A growth method to obtain flat and relaxed In0.2Ga0.8As on GaAs (0 0 1) developed through in situ monitoring of surface topography and stress evolutionGonzález, María Ujué; González, Yolanda; González, Luisa; Calleja, Montserrat; Silveira, Juan Pedro; García, Jorge M.; Briones Fernández-Pola, FernandoComunicación de congreso
jul-2008A Method to Determine the Strain and Nucleation Sites of Stacked Nano-ObjectsMolina, Sergio I.; Varela, M.; Ben, Teresa; Sales, D. L.; Pizarro, J.; Galindo, P. L.; Fuster, David; González, Yolanda; González, Luisa; Pennycook, S. J.Artículo
dic-1994A study of the defect structure in GaAs layers grown at low and high temperatures on Si(001) substratesAragón, G.; Molina, Sergio I.; Pacheco, F. J.; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, Fernando; García, RafaelComunicación de congreso
1993A Study of the Defect Structure in GaAS1−xPx/GaAs AS x<0.25Aragón, G.; Castro, M. J. de; Molina, Sergio I.; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, Fernando; García, RafaelComunicación de congreso
1993A study of the evolution process of antiphase boundaries in GaAs on SiMolina, Sergio I.; Aragón, G.; García, Rafael; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
1-jul-1982A thermal desorption study of the adsorption of CO on Fe(110); enhancement of dissociation by surface defectsGonzález, Luisa; Miranda, Rodolfo; Ferrer, S.Artículo
feb-1997Advantages of thin interfaces in step-graded buffer structuresGonzález, David; Araújo, D.; González, Luisa; González, Yolanda; Aragón, G.; García, RafaelComunicación de congreso
30-abr-2002AFM and TEM study of the lateral composition modulation in etched and photo etched InxGa1−xP epitaxial layersEremenko, V.; González, Luisa; González, Yolanda; Vdovin, V.; Vázquez, Luis; Aragón, G.; Herrera, Miriam; Briones Fernández-Pola, FernandoPóster
ene-1995Atomic core structure of Lomer dislocation at GaAs/(001)Si interfaceVilà, A.; Cornet, A.; Morante, J. R.; González, Yolanda; González, Luisa; Ruterana, P.Artículo
1989Atomic layer MBE growth and characterization of AlAs/InAs strained layer superlattices on GaAsGonzález, Luisa; Ruiz, A.; Mazuelas, A.; Armelles Reig, Gaspar; Recio, M.; Briones Fernández-Pola, FernandoComunicación de congreso
dic-1989Atomic layer molecular beam epitaxy (Almbe) of III–V compounds: Growth modes and applicationsBriones Fernández-Pola, Fernando; González, Luisa; Ruiz, A.Artículo
1995Atomic layer molecular beam epitaxy growth of GaAs1−xPx layers: Study of P2 incorporation by the reflectance difference techniqueGonzález, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
nov-1989Atomic layer molecular beam epitaxy growth of InAs on GaAs substratesRuiz, A.; González, Luisa; Mazuelas, A.; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
1-jun-1990Atomic layer molecular beam epitaxy of InAs/A1As heterostructuresVázquez, M.; Silveira, Juan Pedro; González, Luisa; Pérez, M.; Armelles Reig, Gaspar; Miguel, José Luis de; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
mar-2000Band Alignments in InxGa1–xP/GaAs Heterostructures Investigated by Pressure ExperimentsMartínez-Pastor, Juan; Camacho, J.; Rudamas, C.; Cantarero, A.; González, Luisa; Syassen, K.Artículo
28-jun-2011Band-gap renormalization in InP/GaxIn1-xP quantum dotsNowak, A. K.; Gallardo, E.; van der Meulen, H. P.; Calleja, J. M.; Ripalda, José María; González, Luisa; González, YolandaArtículo
2004Caracterización in situ de la morfología y los procesos de relajación durante el crecimiento mediante epitaxia por haces moleculares de heteroestructuras de semiconductores III-VGonzález, María UjuéTesis
2002Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-SiMazuelas, A.Tesis

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