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Browsing by Author Golmayo, Dolores

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openAccessPublicaciones  no  1  A new hydrogen.pdf.jpg1991A New Hydrogen Sensor Based on a Pt/GaAs Schottky DiodeLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana ; Golmayo, Dolores; Tejedor, P.; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccesshttp___scitation.aip.org.jpg15-Sep-1991The ammonia sensitivity of Pt/GaAs Schottky barrier diodesLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessJun-1992Ammonia sensitivity of Pt/GaAs Schottky barrier diodes. Improvement of the sensor with an organic layerLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Abajo González, Javier de; Campa, José G. de laArtículo
openAccessQuintana,  C. et al Eur. Phys. J. Appl. Phys._25_2004.pdf.jpg14-Feb-2004Analysis of local deformations in heterostructures containing short period superlattices by high-resolution transmission electron microscopyQuintana Rodríguez, Carmen ; Golmayo, Dolores; Dotor, María Luisa ; Lancin, M.Artículo
openAccesshttpGetPDFServlet.pdf.jpgNov-2000Characterization of SnTe-doped InP grown by solid-source atomic layer molecular beam epitaxyPostigo, Pablo Aitor ; Dotor, María Luisa ; García-Pérez, Fernando ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessconfined.pdf.jpg10-Dec-2007Confined photon modes with triangular symmetry in hexagonal microcavities in 2D photonic CrystalsKosevich, Yuriy A.; Sánchez-Dehesa, José; Alija, Alfonso R.; Martínez Rodríguez, Luis Javier ; Dotor, María Luisa ; Golmayo, Dolores; Postigo, Pablo Aitor Pre-print
closedAccessMar-1992Different catalytic metals (Pt, Pd and Ir) for GaAs Schottky barrier sensorsLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccesselectrical.pdf.jpg1999Electrical and optical properties of Be doped InP grown at low temperature by solid source atomic layer molecular beam epitaxyPostigo, Pablo Aitor ; Dotor, María Luisa ; Huertas, P.; García-Pérez, Fernando ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessJApplPhys_77_402.pdf.jpg1995Electrical and optical properties of undoped InP grown at low temperature by atomic layer molecular beam epitaxyPostigo, Pablo Aitor ; Dotor, María Luisa ; Huertas, P.; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccess173.pdf.jpg4-Aug-2005Fotopletismografía por transmisión con múltiples diodos láser en el infrarrojo cercano durante el ejercicio físicoLópez Silva, Sonnia María ; Giannetti, R.; Dotor, María Luisa ; Golmayo, Dolores; Martín, P.; Miguel-Tobal, F.; Bilbao Monasterio, Amaya ; Silveira, Juan Pedro Artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1993(Ga0.22In0.78As)m{plus 45 degree rule}(Ga0.22In0.78P)m superlattices grown by atomic-layer molecular beam epitaxy on InPDotor, María Luisa ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1993Ga0.47In0.53As multiquantum well heterostructures, confined by pseudoquaternary (InP)n/(Ga0.47In 0.53As)m short period superlattices lattice-matched to InPDotor, María Luisa ; Huertas, P.; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccess2012Heuristic algorithm for photoplethysmographic heart rate tracking during maximal exercise testLópez Silva, Sonnia María ; Giannetti, R.; Dotor, María Luisa ; Silveira, Juan Pedro ; Golmayo, Dolores; Miguel-Tobal, F.; Bilbao Monasterio, Amaya ; Galindo Canales, M.; Martín Escudero, PilarArtículo
closedAccessJun-1991Hydrogen sensor based on a Pt/GaAs Schottky diodeLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccess1985Hydrogen sulphide doping of GaAs and AlxGa1−xAs grown by molecular beam epitaxy (MBE)Briones Fernández-Pola, Fernando ; Golmayo, Dolores; González Sotos, Luisa ; Miguel, José Luis deArtículo
closedAccessMar-1995InP tunnel junctions grown by atomic layer molecular beam epitaxy on InP and InP-on-Si substratesDotor, María Luisa ; Golmayo, Dolores; Calle Martín, Ana ; Sendra, J. R.; Anguita, José Virgilio ; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessInP.pdf.jpg2010(InP)5/(Ga0.47In0.53As)5 superlattice confined 1.5 μm multiquantum well laser grown by all-solid source atomic layer molecular beam epitaxyDotor, María Luisa ; Huertas, P.; Postigo, Pablo Aitor ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessOct-2007Laser nanosources based on planar photonic crystals as new platforms for nanophotonic devicesPostigo, Pablo Aitor ; Rodríguez Alija, Alfonso ; Martínez Rodríguez, Luis Javier ; Dotor, María Luisa ; Golmayo, Dolores; Sánchez-Dehesa, José; Seassal, Christian; Viktorovitch, P.; Galli, Matteo; Politi, Alberto; Patrini, M.; Andreani, Lucio C.Artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg2003Lateral composition modulation in strain compensated (GaInP)m (GaInAs)m short-period superlattices grown on (0 0 1) InP by atomic layer molecular beam epitaxyGolmayo, Dolores; Dotor, María Luisa ; Quintana Rodríguez, Carmen Artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg2011Light emission from nanocrystalline Si inverse opals and controlled passivation by atomic layer deposited Al2O3Gallego-Gómez, Francisco; Ibisate, M.; Golmayo, Dolores; Palomares, F. Javier; Blanco Montes, Álvaro; López, CefeArtículo