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1991A New Hydrogen Sensor Based on a Pt/GaAs Schottky DiodeLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana; Golmayo, Dolores; Tejedor, P.; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
15-Sep-1991The ammonia sensitivity of Pt/GaAs Schottky barrier diodesLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
Jun-1992Ammonia sensitivity of Pt/GaAs Schottky barrier diodes. Improvement of the sensor with an organic layerLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando; Abajo González, Javier de; Campa, José G. de laArtículo
14-Feb-2004Analysis of local deformations in heterostructures containing short period superlattices by high-resolution transmission electron microscopyQuintana, C.; Golmayo, Dolores; Dotor, María Luisa; Lancin, M.Artículo
Nov-2000Characterization of SnTe-doped InP grown by solid-source atomic layer molecular beam epitaxyPostigo, Pablo Aitor; Dotor, María Luisa; García, Fernando; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
2007Confined photon modes with triangular symmetry in hexagonal microcavities in 2D photonic CrystalsKosevich, Yuriy A.; Sánchez-Dehesa, José; Alija, Alfonso R.; Martínez Rodríguez, Luis Javier; Dotor, María Luisa; Golmayo, Dolores; Postigo, Pablo AitorPre-print
Mar-1992Different catalytic metals (Pt, Pd and Ir) for GaAs Schottky barrier sensorsLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
1996Effect of phosphorus on electrical properties of undoped InP grown at low temperature by atomic layer molecular beam epitaxyPostigo, Pablo Aitor; García-Pérez, F.; Dotor, María Luisa; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
1999Electrical and optical properties of Be doped InP grown at low temperature by solid source atomic layer molecular beam epitaxyPostigo, Pablo Aitor; Dotor, María Luisa; Huertas, P.; García, Fernando; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
1995Electrical and optical properties of undoped InP grown at low temperature by atomic layer molecular beam epitaxyPostigo, Pablo Aitor; Dotor, María Luisa; Huertas, P.; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
4-Aug-2005Fotopletismografía por transmisión con múltiples diodos láser en el infrarrojo cercano durante el ejercicio físicoLópez, Sonia María; Giannetti, R.; Dotor, María Luisa; Golmayo, Dolores; Martín, P.; Miguel-Tobal, F.; Bilbao, A.; Silveira, Juan PedroArtículo
1993(Ga0.22In0.78As)m{plus 45 degree rule}(Ga0.22In0.78P)m superlattices grown by atomic-layer molecular beam epitaxy on InPDotor, María Luisa; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
1993Ga0.47In0.53As multiquantum well heterostructures, confined by pseudoquaternary (InP)n/(Ga0.47In 0.53As)m short period superlattices lattice-matched to InPDotor, María Luisa; Huertas, P.; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
2012Heuristic algorithm for photoplethysmographic heart rate tracking during maximal exercise testLópez, Sonia María; Giannetti, R.; Dotor, María Luisa; Silveira, Juan Pedro; Golmayo, Dolores; Miguel-Tobal, F.; Bilbao, A.; Galindo Canales, M.; Martín Escudero, PilarArtículo
Jun-1991Hydrogen sensor based on a Pt/GaAs Schottky diodeLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
1985Hydrogen sulphide doping of GaAs and AlxGa1−xAs grown by molecular beam epitaxy (MBE)Briones Fernández-Pola, Fernando; Golmayo, Dolores; González, Luisa; Miguel, José Luis deArtículo
2002Improvement of the temperature characteristic of 1.3 μm Gainasp laser diodes with GaInAsP/InP short-period superlattice barriersPostigo, Pablo Aitor; Golmayo, Dolores; Gómez, H.; Rodríguez, D.; Dotor, María LuisaArtículo
Mar-1995InP tunnel junctions grown by atomic layer molecular beam epitaxy on InP and InP-on-Si substratesDotor, María Luisa; Golmayo, Dolores; Calle Martín, Ana; Sendra, J. R.; Anguita, José Virgilio; González, Luisa; González, Yolanda; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
2010(InP)5/(Ga0.47In0.53As)5 superlattice confined 1.5 μm multiquantum well laser grown by all-solid source atomic layer molecular beam epitaxyDotor, María Luisa; Huertas, P.; Postigo, Pablo Aitor; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
Oct-2007Laser nanosources based on planar photonic crystals as new platforms for nanophotonic devicesPostigo, Pablo Aitor; Rodríguez Alija, Alfonso; Martínez Rodríguez, Luis Javier; Dotor, María Luisa; Golmayo, Dolores; Sánchez-Dehesa, José; Seassal, Christian; Viktorovitch, P.; Galli, Matteo; Politi, Alberto; Patrini, M.; Andreani, Lucio C.Artículo

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