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Browsing by Author Godignon, Philippe

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RightsPreviewIssue DateTitleAuthor(s)Type
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpgMar-2006A SiC microdevice for the minimally invasive monitoring of ischemia in living tissuesGómez, Rodrigo; Ivorra Cano, Antoni; Villa, Rosa; Godignon, Philippe; Millán, José; Erill, Iván; Solà, Anna M. ; Hotter, Georgina ; Palacios, Luisartículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg2012A simple approach for DNA detection on carbon nanotube microelectrode arraysPacios, Merce; Yilmaz, N.; Martín-Fernández, I.; Villa, Rosa; Godignon, Philippe; Valle, Manel del; Bartrolí, J.; Esplandiú, María J. artículo
openAccessCarbon nanotubes.pdf.jpg2011Carbon nanotubes as platforms for electrochemical and electronic detection of biorecognition processesPacios, Merce; Bonanni, Alessandra; Valle, Manel del; Esplandiú, María J. ; Martín-Fernández, I.; Borrisé, Xavier ; Lora-Tamayo D’Ocón, Emilio; Villa, Rosa; Perez Murano, Francesc X. ; Godignon, Philippepóster de congreso
openAccess2140049_T3.pdf.jpg16-Feb-2000Componenete limitador de corriente y procedimiento de realizaciónGodignon, Philippe; De Palma, Jean-François; Deshayes, René; Fernández, Juan; Millán, Josépatente
openAccessGraphIn2016GarciaAlberto.pdf.jpg2016Epitaxial graphene on SiC: a route towards high-performance electronic devicesGarcía-García, A.; Serrano-Ramón, Luis; Ballestar, A.; Rius, Gemma; Godignon, Philippe; Ibarra, M. Ricardo; Teresa, José María depresentación
openAccesssensores.pdf.jpgMar-2004Estudio de puertas catalíticas en sensores de gas en tecnología de SiCGodignon, Philippe; Casals, O.; Haffar, M.; Barcones, B.; Romano, A.; Serre, C.; Pérez, A.; Morante, J. R.; Montserrat, J.; Millán, Joséartículo
openAccessARTICULOS13303[1].pdf.jpg2009GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor inversion channel mobility modelingPérez-Tomás, A.; Placidi, A.; Perpiñà, X.; Constant, A.; Godignon, Philippe; Jordà, Xavier; Brosselard, P.; Millán, Joséartículo
openAccessARTICULOS13282[1].pdf.jpgDec-2004Heat power source controller circuitMadrid, Francesc ; Jordà, Xavier; Vellvehi Hernández, Miquel; Perpiñà, X.; Godignon, Philippeartículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg2016High electron mobility and low-field quantum hall effect in graphene grown on SiC substrates ready for back gatingGodignon, Philippe; Ballestar, A.; García-García, A.; Serrano-Ramón, Luis; Teresa, José María de; Ibarra, M. Ricardocomunicación de congreso
openAccessPost-print-High-resolution mapping of infraslow cortical brain activity enabled by graphene microtransistors_MAIN_TEXT.pdf.jpg31-Dec-2018High-resolution mapping of infraslow cortical brain activity enabled by graphene microtransistorsMasvidal Codina, Eduard ; Illa, Xavi; Dasilva, Miguel; Bonaccini Calia, Andrea; Dragojević, Tanja; Vidal Rosas, Ernesto E.; Prats Alfonso, Elisabet; Martínez Aguilar, Javier; De la Cruz, Jose M.; Garcia Cortadella, Ramon; Godignon, Philippe; Rius, Gemma; Camassa, Alessandra; Del Corro, Elena; Bousquet, Jessica; Hébert, Clement; Durduran, Turgut; Villa, Rosa; Sanchez Vives, Maria V.; Garrido, Jose A.; Guimerà-Brunet, Antonartículo
closedAccess2004Internal infrared laser deflection system: a tool for power device characterizationPerpiñà, X.; Jordà, Xavier; Mestres, Narcís ; Vellvehi Hernández, Miquel; Godignon, Philippe; Millán, José; Kiedrowski, H. vonartículo
openAccessWO2007122281A1.pdf.jpg1-Nov-2007Interruptor de potencia bidireccional, inteligente y modular, método y realizaciónJordà, Xavier; Gálvez Sánchez, José Luis ; Vellvehi Hernández, Miquel; Godignon, Philippe; José Prieto, Miguel Ángel; Martín Ramos, Juan Antoniopatente
openAccess2317731_B1.pdf.jpg4-Feb-2010Interruptor de potencia bidireccional, inteligente y modular. Método y realizaciónJordà, Xavier; Gálvez Sánchez, José Luis ; Vellvehi Hernández, Miquel; Godignon, Philippe; José Prieto, Miguel Ángel; Martín Ramos, Juan Antoniopatente
closedAccessNov-2010Low-cost trench isolation technique for reverse blocking IGBT using boron nitride doping wafersVellvehi Hernández, Miquel; Gálvez Sánchez, José Luis ; Perpiñá Giribet, Xavier; Jordà, Xavier; Godignon, Philippe; Millán, Joséartículo
closedAccess2010Massive manufacture and characterization of single-walled carbon nanotube field effect transistorsMartín-Fernández, I.; Sansa Perna, Marc; Esplandiú, María J. ; Lora-Tamayo D’Ocón, Emilio; Perez Murano, Francesc X. ; Godignon, Philippeartículo
openAccessWO2009115630A1.pdf.jpg24-Sep-2009Method for producing RB-IGBT devicesVellvehi Hernández, Miquel; Jordà, Xavier; Gálvez Sánchez, José Luis ; Godignon, Philippe; Perpina Giribet, Xavierpatente
openAccessUS9356113B2.pdf.jpg31-May-2016Method of producing a junction field-effect transistor (JFET)Tournier, Dominique; Chevalier, Florian; Godignon, Philippe; Millán, Josésolicitud de patente
openAccessUS2015349084A1.pdf.jpg3-Dec-2015Method of producing a junction field-effect transistor (JFET)Tournier, Dominique; Chevalier, Florian; Godignon, Philippe; Millán, Josésolicitud de patente
openAccessES2374774A1.pdf.jpg22-Feb-2012Método de fabricación de dispositivos RB-IGBTVellvehi Hernández, Miquel; Jordà, Xavier; Gálvez Sánchez, José Luis ; Godignon, Philippe; Perpiñá Giribet, Xaviersolicitud de patente
openAccess1556-276X-6-478.pdf.jpg29-Jul-2011Micro-Raman and micro-transmission imaging of epitaxial graphene grown on the Si and C faces of 6H-SiCTiberj, Antoine; Camara, Nicolas; Godignon, Philippe; Camassel, Jeanartículo