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Fecha de publicaciónTítuloAutor(es)Tipo
1995A mathematical model for epitaxial growth on nonplanar substratesDomínguez, P. S.; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
1993Excitons in {311} oriented superlattices: optical anisotropiesArmelles Reig, Gaspar; Castrillo, P.; Domínguez, P. S.; González, Luisa; Ruiz, A.; Contreras-Solorio, D. A.; Velasco, V. R.; García-Moliner, F.Comunicación de congreso
1992Growth and characterization of AlAs/InAs superlattices on {100}, {211} and {311} GaAs substratesCastrillo, P.; Armelles Reig, Gaspar; Domínguez, P. S.; Meléndez, J.; Briones Fernández-Pola, Fernando; Ploog, K.Artículo
1999Light emission and the quantum efficiency of lateral p-n junctions on patterned GaAs (100) substratesKoo, B. J.; Harris, J. J.; Gardner, N. R.; Domínguez, P. S.Artículo
15-may-1994Optical anisotropy of (113)-oriented GaAs/AlAs superlatticesArmelles Reig, Gaspar; Castrillo, P.; Domínguez, P. S.; González, Luisa; Ruiz, A.; Contreras-Solorio, D. A.; Velasco, V. R.; García-Moliner, F.Artículo
ene-1995Optical properties of (113) GaAs/AlAs superlattices grown by molecular beam epitaxy and atomic layer molecular beam epitaxyArmelles Reig, Gaspar; Domínguez, P. S.; González, LuisaArtículo
15-ene-1995Phonon properties and Raman response of (113) GaAs/AlAs corrugated superlatticesCastrillo, P.; Armelles Reig, Gaspar; González, Luisa; Domínguez, P. S.; Colombo, L.Artículo
1993Structural and optical characterization of alternately strained GaAs/GaP/GaAs/InP superlattices grown by atomic layer molecular beam epitaxyMazuelas, A.; Meléndez, J.; Domínguez, P. S.; Garriga, M.; Ballesteros, C.; Gerthsen, D.; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo

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