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Navegación por Autor Briones Fernández-Pola, Fernando

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DerechosPreviewFecha Public.TítuloAutor(es)Tipo
openAccessj_crystal_growth_227_36_2001.pdf.jpgjul-2001A growth method to obtain flat and relaxed In0.2Ga0.8As on GaAs (0 0 1) developed through in situ monitoring of surface topography and stress evolutionGonzález Sagardoy, María Ujué ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Calleja, Montserrat ; Silveira, Juan Pedro ; García Martínez, Jorge Manuel ; Briones Fernández-Pola, Fernando Comunicación de congreso
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1995A mathematical model for epitaxial growth on nonplanar substratesDomínguez, P. S.; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessPublicaciones  no  1  A new hydrogen.pdf.jpg1991A New Hydrogen Sensor Based on a Pt/GaAs Schottky DiodeLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana ; Golmayo, Dolores; Tejedor, P.; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccess1-may-1997A new in situ III-V surface characterization technique: chemical modulation spectroscopyPostigo, Pablo Aitor ; Utzmeier, T.; Armelles Reig, Gaspar ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessdic-1994A study of the defect structure in GaAs layers grown at low and high temperatures on Si(001) substratesAragón, G.; Molina, Sergio I.; Pacheco, F. J.; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; García, RafaelComunicación de congreso
closedAccess1993A Study of the Defect Structure in GaAS1−xPx/GaAs AS x<0.25Aragón, G.; Castro, M. J. de; Molina, Sergio I.; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; García, RafaelComunicación de congreso
closedAccess1993A study of the evolution process of antiphase boundaries in GaAs on SiMolina, Sergio I.; Aragón, G.; García, Rafael; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessKöber, M. et al Phys. Stat. Sol._2_2008.pdf.jpg2-may-2008Adhesion hysteresis in dynamic atomic force microscopyKöber, Mariana; Sahagún, Enrique; Fuss, Martina ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Luna, Mónica ; Sáenz, J. J.Artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg30-abr-2002AFM and TEM study of the lateral composition modulation in etched and photo etched InxGa1−xP epitaxial layersEremenko, V.; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda ; Vdovin, V.; Vázquez, Luis; Aragón, G.; Herrera, Miriam; Briones Fernández-Pola, Fernando Póster
openAccesshttp___scitation.aip.org.jpg15-sep-1991The ammonia sensitivity of Pt/GaAs Schottky barrier diodesLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessjun-1992Ammonia sensitivity of Pt/GaAs Schottky barrier diodes. Improvement of the sensor with an organic layerLechuga, Laura M.; Calle Martín, Ana ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Abajo González, Javier de; Campa, José G. de laArtículo
closedAccessdic-2006Analytical model for shape anisotropy in thin-film nanostructured arrays: Interaction effectsÁlvarez-Sánchez, R.; Costa Krämer, José Luis ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1999Application of NIR laser diodes to pulse oximetryLópez Silva, Sonnia María ; Giannetti, R.; Dotor, María Luisa ; Sendra, J. R.; Silveira, Juan Pedro ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccess1989Atomic layer MBE growth and characterization of AlAs/InAs strained layer superlattices on GaAsGonzález Sotos, Luisa ; Ruiz, A.; Mazuelas Esteban, Ángel José ; Armelles Reig, Gaspar ; Recio Segoviano, Miguel ; Briones Fernández-Pola, Fernando Comunicación de congreso
closedAccessdic-1989Atomic layer molecular beam epitaxy (Almbe) of III–V compounds: Growth modes and applicationsBriones Fernández-Pola, Fernando ; González Sotos, Luisa ; Ruiz, A.Artículo
closedAccess1995Atomic layer molecular beam epitaxy growth of GaAs1−xPx layers: Study of P2 incorporation by the reflectance difference techniqueGonzález Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessnov-1989Atomic layer molecular beam epitaxy growth of InAs on GaAs substratesRuiz, A.; González Sotos, Luisa ; Mazuelas Esteban, Ángel José ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccess1-jun-1990Atomic layer molecular beam epitaxy of InAs/A1As heterostructuresVázquez, M.; Silveira, Juan Pedro ; González Sotos, Luisa ; Pérez, M.; Armelles Reig, Gaspar ; Miguel, José Luis de; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccess1999Binding of polylysine to protein kinase CK2, measured by Surface Plasmon ResonanceBenítez, María J.; Mier, Gerardo; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Moreno, Francisco J.; Jiménez, Juan S.Artículo
closedAccess1998Buffer layer morphology effects on the ordering of epitaxial FePd(001) thin filmsCaro, P.; Cebollada, Alfonso ; Ravelosona, D.; Tamayo de Miguel, Francisco Javier ; García García, Ricardo; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo