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2011Strain balanced epitaxial stacks of quantum dots and quantum postsAlonso-Álvarez, D.; Ripalda, José María; Alén, Benito; Llorens, José Manuel; Rivera, Antonio; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
27-Apr-2011Strain balanced quantum postsAlonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Ripalda, José María; Llorens, José Manuel; Taboada, A. G.; Briones Fernández-Pola, Fernando; Roldán, M. A.; Hernández-Saz, J.; Hernández-Maldonado, D.; Herrera, Miriam; Molina, Sergio I.Artículo
2010Strain balanced quantum posts for intermediate band solar cellsAlonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Ripalda, José María; Taboada, A. G.; Llorens, José Manuel; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, Fernando; Antolín, E.; Ramiro, I.; Marti, A.; Luque López, Antonio; Roldán, M. A.; Hernández-Saz, J.; Herrera, Miriam; Molina, Sergio I.Comunicación de congreso
2011Strain balanced technique for the growth of very high aspect ratio quantum postsAlonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Ripalda, José María; Llorens, José Manuel; Taboada, A. G.; González, Luisa; González, Yolanda; Briones Fernández-Pola, Fernando; Roldán, M. A.; Hernández-Saz, J.; Herrera, Miriam; Molina, Sergio I.Comunicación de congreso
2013Strain driven migration of In during the growth of InAs/GaAs quantum postsAlonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Ripalda, José María; Rivera, Antonio; Taboada, A. G.; Llorens, José Manuel; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
14-Dec-2010Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dotsTaboada, A. G.; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Bozkurt, M.; Alonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Rivera, Antonio; Ripalda, José María; Llorens, José Manuel; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; Ulloa, J. M.; García, Jorge M.; Molina, Sergio I.; Koenraad, P. M.Artículo
Jun-2011Structural characterization of GaSb-capped InAs/GaAs quantum dots with a GaAs intermediate layerBeltrán, A. M.; Ben, Teresa; Sánchez, A. M.; Ripalda, José María; Taboada, A. G.; Molina, Sergio I.Artículo
2006Surface reconstructions of InGaAs alloysRipalda, José María; Jones, T. S.Artículo
2010Temperature dependent single photon emission in InP/GaInP quantum dotsNowak, A. K.; Gallardo, E.; Sarkar, D.; Sanvitto, D.; Meulen, H. P. van der; Calleja, J. M.; Ripalda, José María; González, Luisa; González, YolandaArtículo
2010Theoretical modelling of quaternary GaInAsSb/GaAs self-assembled quantum dotsLlorens, José Manuel; Taboada, A. G.; Ripalda, José María; Alonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Martín-Sánchez, Javier; García, Jorge M.; González, Yolanda; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Galindo, P. L.; Molina, Sergio I.Artículo
14-Oct-2009Thermal effects in InP/(Ga,In)P quantum-dot single-photon emittersNowak, A. K.; Gallardo, E.; Sarkar, D.; Van der Meulen, H. P.; Calleja, J. M.; Ripalda, José María; González, Yolanda; González, LuisaArtículo
8-Jul-2011Three dimensional atom probe imaging of GaAsSb quantum ringsBeltrán, A. M.; Taboada, A. G.; Ripalda, José María; García, Jorge M.Artículo

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