DSpace

Digital.CSIC >

Browsing by Author Molina, Sergio I.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
 
Showing results 11 to 30 of 32
Issue DateTitleAuthor(s)Type
2004Emission wavelength engineering of InAs/InP(001) quantum wiresFuster, David; González, Luisa; González, Yolanda; Martínez-Pastor, Juan; Ben, Teresa; Ponce, Arturo; Molina, Sergio I.Artículo
29-Mar-2007Excitons in coupled InAs/InP self-assembled quantum wiresSidor, Y.; Partoens, B.; Peeters, F. M.; Ben, Teresa; Ponce, Arturo; Molina, Sergio I.; Sales, D. L.; Fuster, David; González, Luisa; González, YolandaArtículo
Jan-1993Experimental evidence of the structure of annihilation of antiphase boundaries in GaAs on SiMolina, Sergio I.; Aragón, G.; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, Fernando; Ponce, F. A.; García, RafaelArtículo
2009Formation of Spatially Addressed Ga(As)Sb Quantum Rings on GaAs(001) Substrates by Droplet EpitaxyAlonso-González, Pablo; González, Luisa; Fuster, David; González, Yolanda; Taboada, A. G.; Ripalda, José María; Beltrán, A. M.; Sales, D. L.; Ben, Teresa; Molina, Sergio I.Artículo
5-Sep-2010Growth of Low-Density Vertical Quantum Dot Molecules with Control in Energy Emission.Alonso-González, Pablo; González, Luisa; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; Fuster, David; Sales, D. L.; Hernández-Maldonado, D.; Herrera, Miriam; Molina, Sergio I.Artículo
29-Jan-2009High resolution electron microscopy of GaAs capped GaSb nanostructuresMolina, Sergio I.; Beltrán, A. M.; Ben, Teresa; Galindo, P. L.; Guerrero, Elisa; Taboada, A. G.; Ripalda, José María; Chisholm, M. F.Artículo
27-Dec-2007Incorporation of Sb in InAs/GaAs quantum dotsMolina, Sergio I.; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Sales, D. L.; Ben, Teresa; Chisholm, M. F.; Varela, M.; Pennycook, S. J.; Galindo, P. L.; Papworth, A. J.; Goodhew, P. J.; Ripalda, José MaríaArtículo
30-Jan-2009Microstructural improvements of InP on GaAs „001… grown by molecularMorales, F. M.; García García, Ricardo; Molina, Sergio I.; Aouni, A.; Postigo, Pablo Aitor; Fonstad, C. G.Artículo
21-Jul-2010Morphological evolution of InAs/InP quantum wires through aberration-corrected scanning transmission electron microscopySales, D. L.; Varela, M.; Pennycook, S. J.; González, Luisa; González, Yolanda; Fuster, David; Molina, Sergio I.Artículo
9-Nov-2005Room temperature emission at 1.6 µm from InGaAs quantum dots capped with GaAsSbRipalda, José María; Granados, Daniel; González, Yolanda; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I.; García, Jorge M.Artículo
2003Size and critical thickness evolution during growth of stacked layers of InAs/InP(001) quantum wires studied by in situ stress measurementsFuster, David; González, María Ujué; González, Luisa; González, Yolanda; Ben, Teresa; Ponce, Arturo; Molina, Sergio I.Comunicación de congreso
23-Aug-2004Size control of InAs∕InP(001) quantum wires by tailoring P∕As exchangeFuster, David; González, María Ujué; González, Luisa; González, Yolanda; Ben, Teresa; Ponce, Arturo; Molina, Sergio I.; Martínez-Pastor, JuanArtículo
Apr-2003Size self-filtering effect in vertical stacks of InAs/InP self-assembled quantum wiresAlén, Benito; Martínez-Pastor, Juan; Fuster, David; García, Jorge M.; González, Luisa; Molina, Sergio I.; Ponce, Arturo; García, J.Artículo
29-May-2002Size-filtering effects by stacking InAs/InP (001) self-assembled quantum wires into multilayersAlén, Benito; Martínez-Pastor, Juan; González, Luisa; García, Jorge M.; Molina, Sergio I.; Ponce, Arturo; García García, RicardoArtículo
20-Jun-2004Stacking of InAs/InP(001) quantum wires studied by in situ stress measurements: Role of inhomogeneous stress fieldsFuster, David; González, María Ujué; González, Luisa; González, Yolanda; Ben, Teresa; Ponce, Arturo; Molina, Sergio I.Artículo
27-Apr-2011Strain balanced quantum postsAlonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Ripalda, José María; Llorens, José Manuel; Taboada, A. G.; Briones Fernández-Pola, Fernando; Roldán, M. A.; Hernández-Saz, J.; Hernández-Maldonado, D.; Herrera, Miriam; Molina, Sergio I.Artículo
14-Dec-2010Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dotsTaboada, A. G.; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Bozkurt, M.; Alonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Rivera, Antonio; Ripalda, José María; Llorens, José Manuel; Martín-Sánchez, Javier; González, Yolanda; Ulloa, J. M.; García, Jorge M.; Molina, Sergio I.; Koenraad, P. M.Artículo
Jun-2011Structural characterization of GaSb-capped InAs/GaAs quantum dots with a GaAs intermediate layerBeltrán, A. M.; Ben, Teresa; Sánchez, A. M.; Ripalda, José María; Taboada, A. G.; Molina, Sergio I.Artículo
1993Structural characterization of highly strained InAs N monolayer lasers and quantum well structures by X-ray diffraction and transmission electron microscopyMazuelas, A.; Molina, Sergio I.; Aragón, G.; Meléndez, J.; Dotor, María Luisa; Huertas, P.; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
2010Theoretical modelling of quaternary GaInAsSb/GaAs self-assembled quantum dotsLlorens, José Manuel; Taboada, A. G.; Ripalda, José María; Alonso-Álvarez, D.; Alén, Benito; Martín-Sánchez, Javier; García, Jorge M.; González, Yolanda; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Galindo, P. L.; Molina, Sergio I.Artículo

Showing results 11 to 30 of 32