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25-Sep-2008Carrier recombination effects in strain compensated quantum dot stacks embedded in solar cellsAlonso-Álvarez, D.; Taboada, A. G.; Ripalda, José María; Alén, Benito; González, Yolanda; González, Luisa; García, Jorge M.; Briones Fernández-Pola, Fernando; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I.Artículo
Apr-2002Carrier Recombination in InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots under Resonant Excitation ConditionsRudamas, C.; Martínez-Pastor, Juan; García-Cristobal, Alberto; Roussignol, Philippe; García, Jorge M.; González, LuisaArtículo
27-Jul-2011Charge control in laterally coupled double quantum dotsMuñoz-Matutano, G.; Royo, M.; Climente, J. I.; Canet-Ferrer, J.; Fuster, David; Alonso-González, Pablo; Fernández-Martínez, Iván; Martínez-Pastor, Juan; González, Yolanda; González, Luisa; Briones Fernández-Pola, Fernando; Alén, BenitoArtículo
Jan-2009Column-by-column compositional mapping by Z-contrast imagingMolina, Sergio I.; Sales, D. L.; Galindo, P. L.; Fuster, David; González, Yolanda; Alén, Benito; González, Luisa; Varela, M.; Pennycook, S. J.Artículo
2-Dec-1996Comparison of the crystalline quality of step-graded and continuously graded InGaAs buffer layersKidd, P.; González, Luisa; González, Yolanda; García, Rafael; González, David; Goodhew, P. J.Artículo
2008Competition between carrier recombination and tunneling in quantum dots and rings under the action of electric fieldsBosch, J.; Alén, Benito; Martínez-Pastor, Juan; Granados, Daniel; García, Jorge M.; González, LuisaArtículo
1997Composition characterization of III-V semiconductor heterostructures by friction force microscopyGarcía, Rafael; Tamayo, Javier; González, Luisa; González, YolandaComunicación de congreso
2004Composition Modulation in Low Temperature Growth of InGaAs/GaAs System: Influence on Plastic RelaxationHerrera, Miriam; González, David; González, María Ujué; González, Yolanda; González, Luisa; García, RafaelArtículo
15-Apr-1996Compositional mapping of semiconductor structures by friction force microscopyTamayo, Javier; González, Luisa; González, Yolanda; García García, RicardoArtículo
Mar-2004Confinement in self-assembled InAs/InP quantum wires studied by magneto-photoluminescenceMaes, J.; Hayne, M.; González, Yolanda; González, Luisa; Fuster, David; García, Jorge M.; Moshchalkov, V. V.Comunicación de congreso
Jun-2002Consequences of the spatial localization on the exciton recombination dynamics in InGaP/GaAs heterostructuresRudamas, C.; Martínez-Pastor, Juan; González, Luisa; Vinattieri, A.; Colocci, M.Artículo
15-Dec-1998Correlation between optical properties and barrier composition in InxGa1−xP/GaAs quantum wellsMartínez-Pastor, Juan; González, Luisa; Aragón, G.; Guenaud, Ch.; Deleporte, E.Artículo
2002Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces molecularesGonzález, YolandaTesis
Dec-2005Crecimiento y caracterización de hilos cuánticos de arseniuro de indio sobre substratos de fosfuro de indio (InAs/InP)Fuster, DavidTesis
15-May-2000Critical size for localization of the L-like conduction states in InAs quantum dots grown on GaAsPrieto, J. A.; Armelles Reig, Gaspar; García, Jorge M.; González, Luisa; San Paulo, Álvaro; García García, RicardoArtículo
Aug-1993Critical thickness determination of InAs, InP and GaP on GaAs by X-ray interference effect and transmission electron microscopyMazuelas, A.; González, Luisa; Ponce, F. A.; Tapfer, L.; Briones Fernández-Pola, FernandoComunicación de congreso
Dec-2002Customized nanostructures MBE growth: from quantum dots to quantum ringsGranados, Daniel; González, Luisa; González, Yolanda; García, Jorge M.Comunicación de congreso
15-Apr-2011Depth dependent lattice disorder and strain in Mn-implanted and post-annealed InAs thin filmsGonzález-Arrabal, Raquel; Redondo-Cubero, A.; González, Yolanda; González, Luisa; Martín-González, Marisol S.Artículo
1991Determination of in-depth thermal strain distribution in Molecular Beam Epitaxy GaAs on SiGonzález, Yolanda; Mazuelas, A.; Recio, M.; González, Luisa; Armelles Reig, Gaspar; Briones Fernández-Pola, FernandoArtículo
1-Aug-1994Determination of the deformation potentials of GaAs0.80P0.20González, Yolanda; Armelles Reig, Gaspar; González, LuisaArtículo

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