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Browsing by Author Briones Fernández-Pola, Fernando

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RightsPreviewIssue DateTitleAuthor(s)Type
closedAccess1991In Situ Reflectance Anysotropy Monitoring of Antiphase Domains Evolution during Growth of GaAs/Si (001)González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessMay-1991In-situ monitoring of antiphase domain evolution during atomic layer MBE (ALMBE) and MBE growth of GaAs/Si(001) by reflectance differenceGonzález Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessj_crystal_growth_227_975_2001.pdf.jpgJul-2001InAs/InP(0 0 1) quantum wire formation due to anisotropic stress relaxation: in situ stress measurementsGarcía Martínez, Jorge Manuel ; González Sotos, Luisa ; González Sagardoy, María Ujué ; Silveira, Juan Pedro ; González Díez, Yolanda ; Briones Fernández-Pola, Fernando Pre-print
openAccessGetPDFServlet.pdf.jpg28-Feb-2000Influence of buffer-layer surface morphology on the self-organized growth of InAs on InP(001) nanostructuresGonzález Sotos, Luisa ; García Martínez, Jorge Manuel ; García García, Ricardo; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Martínez-Pastor, Juan; Ballesteros, C.Artículo
openAccessinfluence.pdf.jpgApr-1997The influence of the Pt buffer layer on the perpendicular magnetic anisotropy in epitaxial FePd(001) ordered alloys grown by sputteringCaro, P.; Cebollada, Alfonso ; Ravelosona, D.; Briones Fernández-Pola, Fernando ; García, D.; Vázquez, M.; Hernando, A.Artículo
closedAccessOct-1992Initial stage of epitaxial growth at low temperature of GaAs and AlAs on Si by atomic layer molecular beam epitaxy (ALMBE) and MBEGonzález Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Vilà, A.; Cornet, A.; Morante, J. R.Artículo
closedAccessMar-1995InP tunnel junctions grown by atomic layer molecular beam epitaxy on InP and InP-on-Si substratesDotor, María Luisa ; Golmayo, Dolores; Calle Martín, Ana ; Sendra, J. R.; Anguita, José Virgilio ; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessInP.pdf.jpg2010(InP)5/(Ga0.47In0.53As)5 superlattice confined 1.5 μm multiquantum well laser grown by all-solid source atomic layer molecular beam epitaxyDotor, María Luisa ; Huertas, P.; Postigo, Pablo Aitor ; Golmayo, Dolores; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessGarcía, M.A. et al Phys. Rev. Lett._94_2005.pdf.jpg3-Jun-2005Interface Double-Exchange Ferromagnetism in the Mn-Zn-O System: New Class of Biphase MagnetismGarcía, Miguel Ángel Pérez; Ruiz-González, María Luisa; Quesada, Adrián; Costa Krämer, José Luis ; Fernández Lozano, José Francisco; Khatib, S. J.; Wennberg, A.; Caballero Cuesta, Amador; Martín-González, Marisol S. ; Villegas, Marina; Briones Fernández-Pola, Fernando ; González-Calbet, José M.; Hernando, AntonioArtículo
closedAccess28-Mar-2003Interplay between size and shape in the magnetic behaviour of epitaxial microtunnel junction arraysMartín, J. I.; Costa Krämer, José Luis ; Martínez Boubeta, C.; Cebollada, Alfonso ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Anguita, José Virgilio Artículo
closedAccess2-Nov-2000Large disparity between gallium and antimony self-diffusion in gallium antimonideBracht, H.; Nicols, S. P.; Walukiewicz, W.; Silveira, Juan Pedro ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Haller, E. E.Artículo
openAccessBowen, M. et al Appl. Phys. Lett._79_2001.pdf.jpg10-Sep-2001Large magnetoresistance in Fe/MgO/FeCo(001) epitaxial tunnel junctions on GaAs(001)Bowen, M.; Cros, V.; Petroff, F.; Fert, A.; Martínez Boubeta, C.; Costa Krämer, José Luis ; Anguita, José Virgilio ; Cebollada, Alfonso ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Teresa, José María de; Morellón, L.; Ibarra, M. R.; Güell, F.; Peiró, F.; Cornet, A.Artículo
closedAccess13-Mar-2002Limited In incorporation during pseudomorphic InAs/GaAs growth and quantum dot formation observed by in situ stress measurementsSilveira, Juan Pedro ; García Martínez, Jorge Manuel ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccess1992Low Temperature GaAs/Si Technology: from Si Substrate Preparation to the Epitaxial GrowthGonzález Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
openAccessApplPhysLett_65_573.pdf.jpg1994Low temperature growth of highly doped GaAs:Si by atomic layer molecular beam epitaxySilveira, Juan Pedro ; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessFeb-1994Low temperature InP/Si technology: from Si substrate preparation to epitaxial growthGonzález Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda ; Dotor, María Luisa ; Golmayo, Dolores; Gómez, D.; Briones Fernández-Pola, Fernando Artículo
closedAccessJul-1987Low-Temperature Growth of AlAs/GaAs Heterostructures by Modulated Molecular Beam EpitaxyBriones Fernández-Pola, Fernando ; González Sotos, Luisa ; Recio Segoviano, Miguel ; Vázquez, M.Artículo
closedAccessaccesoRestringido.pdf.jpg1987LOW-TEMPERATURE GROWTH OF AlAs/GaAs HETEROSTRUCTURES BY MODULATED MOLECULAR BEAM EPITAXY.Briones Fernández-Pola, Fernando ; González Sotos, Luisa ; Recio Segoviano, Miguel ; Vázquez, M.Artículo
openAccess19-Jun-2008Magnetic anisotropy and intergrain interactions in L10 CoPt (111)/Pt(111)/MgO(100) PLD granular films with tilted easy axesVarvaro, G.; Agostinelli, E.; Laureti, S.; Testa, A. M.; García-Martín, José Miguel ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Fiorani, D.Artículo
closedAccessMay-2001Magnetic anisotropy of epitaxial Fe (0 0 1) micrometric squaresMartín, J. I.; Costa Krämer, José Luis ; Menéndez, José Luis; Cebollada, Alfonso ; Anguita, José Virgilio ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Vicent, J. L.Artículo