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| Rights | Preview | Issue Date | Title | Author(s) | Type |
| openAccess |  | 28-Jun-2011 | Band-gap renormalization in InP/GaxIn1-xP quantum dots | Nowak, A. K.; Gallardo, E.; Meulen, H. P. van der; Calleja, J. M.; Ripalda, José María  ; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda | artículo |
| openAccess |  | 1-Jan-2001 | Behavior of oxygen doped SiC thin films: An x-ray photoelectron spectroscopy study | Ávila, Antoine; Montero, Isabel ; Galán, L.; Ripalda, José María ; Levy, Roi | artículo |
| closedAccess | | 10-Mar-2010 | Blocking of indium incorporation by antimony in III–V-Sb nanostructures | Sánchez, A. M.; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María ; Molina, Sergio I. | artículo |
| openAccess |  | Mar-2005 | C60 fullereno modificado por haces de iones de baja energía para prevenir el efecto multipactor | Montero, Isabel ; Román García, Elisa Leonor ; Ripalda, José María ; Galán, L. | artículo |
| openAccess |  | 25-Sep-2008 | Carrier recombination effects in strain compensated quantum dot stacks embedded in solar cells | Alonso-Álvarez, Diego ; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María ; Alén, Benito ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; García Martínez, Jorge Manuel ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I. | artículo |
| openAccess |  | 5-Jul-2007 | Enhancement of the room temperature luminescence of InAs quantum dots by GaSb capping | Ripalda, José María ; Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Taboada, Alfonso G.; García Martínez, Jorge Manuel ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa | artículo |
| openAccess |  | 29-Aug-2003 | First-principles study of the interaction of hydrogen with GaAs(001) | Ripalda, José María ; Khatiri, A.; Krzyzewski, T. J.; Gale, J. D.; Jones, T. S. | artículo |
| openAccess |  | 2009 | Formation of Spatially Addressed Ga(As)Sb Quantum Rings on GaAs(001) Substrates by Droplet Epitaxy | Alonso-González, Pablo ; González Sotos, Luisa ; Fuster, David ; González Díez, Yolanda ; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María ; Beltrán, A. M.; Sales, David L.; Ben, Teresa; Molina, Sergio I. | artículo |
| openAccess |  | 29-Jan-2009 | High resolution electron microscopy of GaAs capped GaSb nanostructures | Molina, Sergio I.; Beltrán, A. M.; Ben, Teresa; Galindo, P. L.; Guerrero, Elisa; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María ; Chisholm, M. F. | artículo |
| openAccess |  | 27-Dec-2007 | Incorporation of Sb in InAs/GaAs quantum dots | Molina, Sergio I.; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Sales, David L.; Ben, Teresa; Chisholm, M. F.; Varela, María; Pennycook, Stephen J.; Galindo, P. L.; Papworth, A. J.; Goodhew, P. J.; Ripalda, José María | artículo |
| openAccess |  | Sep-2004 | InGaAs Quantum dots with soft confinement potential for longer wavelength emission | Ripalda, José María ; Granados, Daniel ; García Martínez, Jorge Manuel ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa | póster de congreso |
| openAccess |  | 26-Feb-2007 | New cryogenic environment for beamline ID22 at the European Synchrotron Radiation Facility | Martínez-Criado, Gema ; Steinmann, R.; Alén, Benito ; Labrador, A.; Fuster, David ; Ripalda, José María ; Homs, Alejandro; Labouré, S.; Susini, Jean | artículo |
| openAccess |  | 26-Dec-2007 | Optical investigation of type II GaSb/GaAs self-assembled quantum dots | Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; García Martínez, Jorge Manuel ; Ripalda, José María | artículo |
| openAccess |  | 2012 | Relaxation dynamics and residual strain in metamorphic AlSb on GaAs | Ripalda, José María ; Sánchez, A. M.; Taboada, Alfonso G.; Rivera de Mena, Antonio ; Alén, Benito ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Rotter, T. J.; Balakrishnan, G. | artículo |
| openAccess |  | 31-May-2004 | Resonant photoemission in Cr silicide at the absorption energy Cr2p | Galán, L.; García, Mariano; Ripalda, José María ; Montero Herrero, Isabel; Román García, Elisa Leonor ; Batchelor, D. R.; Bressler, P. R. | artículo |
| openAccess |  | 9-Nov-2005 | Room temperature emission at 1.6 µm from InGaAs quantum dots capped with GaAsSb | Ripalda, José María ; Granados, Daniel ; González Díez, Yolanda ; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I.; García Martínez, Jorge Manuel | artículo |
| openAccess |  | 24-Feb-2006 | Secondary electron emission and photoemission studies on surface films of carbon nitride | Ripalda, José María ; Montero, Isabel ; Vázquez, Luis ; Raboso, D.; Galán, L. | artículo |
| openAccess |  | 23-Nov-2011 | Strain balanced epitaxial stacks of quantum dots and quantum posts | Alonso-Álvarez, Diego ; Ripalda, José María ; Alén, Benito ; Llorens Montolio, José Manuel ; Rivera de Mena, Antonio ; Briones Fernández-Pola, Fernando | artículo |
| openAccess |  | 27-Apr-2011 | Strain balanced quantum posts | Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Ripalda, José María ; Llorens Montolio, José Manuel ; Taboada, Alfonso G.; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Roldán, M. A. ; Hernández-Saz, J.; Hernández-Maldonado, D.; Herrera, Miriam; Molina, Sergio I. | artículo |
| openAccess |  | 14-Dec-2010 | Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dots | Taboada, Alfonso G.; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Bozkurt, M.; Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Rivera de Mena, Antonio ; Ripalda, José María ; Llorens Montolio, José Manuel ; Martín-Sánchez, Javier; González Díez, Yolanda ; Ulloa, J. M.; García Martínez, Jorge Manuel ; García Martínez, Jorge Manuel ; Molina, Sergio I.; Koenraad, P. M. | artículo |
