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RightsPreviewIssue DateTitleAuthor(s)Type
openAccessNowak, A. K. et al Phys. Rev. B_83_2011.pdf.jpg28-Jun-2011Band-gap renormalization in InP/GaxIn1-xP quantum dotsNowak, A. K.; Gallardo, E.; Meulen, H. P. van der; Calleja, J. M.; Ripalda, José María  ; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda artículo
openAccessBehavior of oxygen.pdf.jpg1-Jan-2001Behavior of oxygen doped SiC thin films: An x-ray photoelectron spectroscopy studyÁvila, Antoine; Montero, Isabel ; Galán, L.; Ripalda, José María  ; Levy, Roiartículo
closedAccess10-Mar-2010Blocking of indium incorporation by antimony in III–V-Sb nanostructuresSánchez, A. M.; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María  ; Molina, Sergio I.artículo
openAccessfullereno.pdf.jpgMar-2005C60 fullereno modificado por haces de iones de baja energía para prevenir el efecto multipactorMontero, Isabel ; Román García, Elisa Leonor ; Ripalda, José María  ; Galán, L.artículo
openAccessGetPDFServlet.pdf.jpg25-Sep-2008Carrier recombination effects in strain compensated quantum dot stacks embedded in solar cellsAlonso-Álvarez, Diego ; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María  ; Alén, Benito ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; García Martínez, Jorge Manuel  ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I.artículo
openAccessRipalda, J.M. et al ApplPhysLett_91_2007.pdf.jpg5-Jul-2007Enhancement of the room temperature luminescence of InAs quantum dots by GaSb cappingRipalda, José María  ; Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Taboada, Alfonso G.; García Martínez, Jorge Manuel  ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa artículo
openAccessRipalda, J.M. et al Phys.Rev.B_68_2003.pdf.jpg29-Aug-2003First-principles study of the interaction of hydrogen with GaAs(001)Ripalda, José María  ; Khatiri, A.; Krzyzewski, T. J.; Gale, J. D.; Jones, T. S.artículo
openAccesscg801186w.pdf.jpg2009Formation of Spatially Addressed Ga(As)Sb Quantum Rings on GaAs(001) Substrates by Droplet EpitaxyAlonso-González, Pablo ; González Sotos, Luisa ; Fuster, David ; González Díez, Yolanda ; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María  ; Beltrán, A. M.; Sales, David L.; Ben, Teresa; Molina, Sergio I.artículo
openAccessMolina, S.I. et al Appl.Phys.Lett_94_2009.pdf.jpg29-Jan-2009High resolution electron microscopy of GaAs capped GaSb nanostructuresMolina, Sergio I.; Beltrán, A. M.; Ben, Teresa; Galindo, P. L.; Guerrero, Elisa; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María  ; Chisholm, M. F.artículo
openAccessMolina, S.I. et al ApplPhysLett_91_2007.pdf.jpg27-Dec-2007Incorporation of Sb in InAs/GaAs quantum dotsMolina, Sergio I.; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Sales, David L.; Ben, Teresa; Chisholm, M. F.; Varela, María; Pennycook, Stephen J.; Galindo, P. L.; Papworth, A. J.; Goodhew, P. J.; Ripalda, José María  artículo
openAccessAbstract_Poster_RipaldaJoseM.pdf.jpgSep-2004InGaAs Quantum dots with soft confinement potential for longer wavelength emissionRipalda, José María  ; Granados, Daniel ; García Martínez, Jorge Manuel  ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa póster de congreso
openAccessMartinez-Criado G. et al RevScienInst_78_2007.pdf.jpg26-Feb-2007New cryogenic environment for beamline ID22 at the European Synchrotron Radiation FacilityMartínez-Criado, Gema ; Steinmann, R.; Alén, Benito ; Labrador, A.; Fuster, David ; Ripalda, José María  ; Homs, Alejandro; Labouré, S.; Susini, Jeanartículo
openAccessAlonso-Alvarez, Diego et al ApplPhysLett_91_2007.pdf.jpg26-Dec-2007Optical investigation of type II GaSb/GaAs self-assembled quantum dotsAlonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; García Martínez, Jorge Manuel  ; Ripalda, José María  artículo
openAccessApplPhysLett_100_012103.pdf.jpg2012Relaxation dynamics and residual strain in metamorphic AlSb on GaAsRipalda, José María  ; Sánchez, A. M.; Taboada, Alfonso G.; Rivera de Mena, Antonio ; Alén, Benito ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Rotter, T. J.; Balakrishnan, G.artículo
openAccessGalán, L. et al Appl.Phys.Lett._84_2004.pdf.jpg31-May-2004Resonant photoemission in Cr silicide at the absorption energy Cr2pGalán, L.; García, Mariano; Ripalda, José María  ; Montero Herrero, Isabel; Román García, Elisa Leonor ; Batchelor, D. R.; Bressler, P. R.artículo
openAccessRipalda, J.M. et al Appl.Phys.Lett._87_2005.pdf.jpg9-Nov-2005Room temperature emission at 1.6 µm from InGaAs quantum dots capped with GaAsSbRipalda, José María  ; Granados, Daniel ; González Díez, Yolanda ; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I.; García Martínez, Jorge Manuel  artículo
openAccessRipalda, J.M. et al J.Appl.Phys._99_2006.pdf.jpg24-Feb-2006Secondary electron emission and photoemission studies on surface films of carbon nitrideRipalda, José María  ; Montero, Isabel ; Vázquez, Luis ; Raboso, D.; Galán, L.artículo
openAccessstrain_balanced.pdf.jpg23-Nov-2011Strain balanced epitaxial stacks of quantum dots and quantum postsAlonso-Álvarez, Diego ; Ripalda, José María  ; Alén, Benito ; Llorens Montolio, José Manuel ; Rivera de Mena, Antonio ; Briones Fernández-Pola, Fernando artículo
openAccessAlonso-Alvarez, D. et al Appl. Phys. Lett._98_2011.pdf.jpg27-Apr-2011Strain balanced quantum postsAlonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Ripalda, José María  ; Llorens Montolio, José Manuel ; Taboada, Alfonso G.; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Roldán, M. A. ; Hernández-Saz, J.; Hernández-Maldonado, D.; Herrera, Miriam; Molina, Sergio I.artículo
openAccessTaboada, A.G. et al Phys. Rev. B_82_2010.pdf.jpg14-Dec-2010Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dotsTaboada, Alfonso G.; Sánchez, A. M.; Beltrán, A. M.; Bozkurt, M.; Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Rivera de Mena, Antonio ; Ripalda, José María  ; Llorens Montolio, José Manuel ; Martín-Sánchez, Javier; González Díez, Yolanda ; Ulloa, J. M.; García Martínez, Jorge Manuel  ; García Martínez, Jorge Manuel  ; Molina, Sergio I.; Koenraad, P. M.artículo