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| Rights | Preview | Issue Date | Title | Author(s) | Type |
| closedAccess |  | 1-Jun-2017 | A substrate removal processing method for III–V solar cells compatible with low-temperature characterization | Villa, Juan; Ramiro, Íñigo; Ripalda, José María  ; Antolín, Elisa; García, Iván; Martí Vega, Antonio | artículo |
| closedAccess |  | 1-Aug-2016 | Amplification of the zeroth Order mode in ultra-thin layers | Llorens Montolio, José Manuel ; Buencuerpo, Jerónimo ; Ripalda, José María ; Postigo, Pablo Aitor | artículo |
| openAccess |  | 1-May-2017 | Antireflective nanostructures for CPV | Buencuerpo, Jerónimo ; Torné, Lorena ; Álvaro Bruna, Raquel ; Llorens Montolio, José Manuel ; Dotor, María Luisa ; Ripalda, José María | comunicación de congreso |
| openAccess |  | 28-Jun-2011 | Band-gap renormalization in InP/GaxIn1-xP quantum dots | Nowak, A. K.; Gallardo, E.; Meulen, H. P. van der; Calleja, J. M.; Ripalda, José María ; González Sotos, Luisa ; González Díez, Yolanda | artículo |
| openAccess |  | 1-Jan-2001 | Behavior of oxygen doped SiC thin films: An x-ray photoelectron spectroscopy study | Ávila, Antoine; Montero, Isabel ; Galán, L.; Ripalda, José María ; Levy, Roi | artículo |
| openAccess | | Oct-2013 | Beyond geometrical shadow factors with nanostructured contats for solar cells | Pérez de San Román, Etor ; Vitrey, Alan ; García-Martín, Antonio ; Buencuerpo, Jerónimo ; Llorens Montolio, José Manuel ; Dotor, María Luisa ; Ripalda, José María | comunicación de congreso |
| closedAccess | | 10-Mar-2010 | Blocking of indium incorporation by antimony in III–V-Sb nanostructures | Sánchez, A. M.; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María ; Molina, Sergio I. | artículo |
| closedAccess |  | 2015 | Broadband antireflective nano-cones for tandem solar cells | Buencuerpo, Jerónimo ; Llorens Montolio, José Manuel ; Dotor, María Luisa ; Ripalda, José María | artículo |
| openAccess |  | Mar-2005 | C60 fullereno modificado por haces de iones de baja energía para prevenir el efecto multipactor | Montero, Isabel ; Román García, Elisa Leonor ; Ripalda, José María ; Galán, L. | artículo |
| openAccess |  | 25-Sep-2008 | Carrier recombination effects in strain compensated quantum dot stacks embedded in solar cells | Alonso-Álvarez, Diego ; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María ; Alén, Benito ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; García Martínez, Jorge Manuel ; Briones Fernández-Pola, Fernando ; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Sánchez, A. M.; Molina, Sergio I. | artículo |
| openAccess |  | 24-Jun-2016 | Cloaking of solar cell contacts at the onset of Rayleigh scattering | Pérez de San Román, Etor ; Vitrey, Alan ; Buencuerpo, Jerónimo ; Prieto-González, Iván ; Llorens Montolio, José Manuel ; García-Martín, Antonio ; Alén, Benito ; Chaudhuri, Anabil; Neumann, Alexander; Brueck, Steven R. J.; Ripalda, José María | artículo |
| closedAccess |  | Jul-2011 | Compositional mapping by Z-contrast imaging | Roldán, M. A. ; Hernández-Maldonado, D.; Hernández-Saz, J.; Herrera, Miriam; Guerrero, M. P.; Galindo, P. L.; Alonso-Álvarez, Diego ; Ripalda, José María ; Alén, Benito ; González Díez, Yolanda ; Varela, María; Pennycook, Stephen J.; Molina, Sergio I. | artículo |
| openAccess | | 17-Jun-2019 | Dependence of multijunction optimal gaps on spectral variability and other environmental and device parameters | Ripalda, José María ; Buencuerpo, Jerónimo ; García, Iván | comunicación de congreso |
| openAccess |  | 8-Aug-2013 | Effect of Sb incorporation on the electronic structure of InAs quantum dots | Taboada, Alfonso G.; Llorens Montolio, José Manuel ; Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Rivera de Mena, Antonio ; González Díez, Yolanda ; Ripalda, José María | artículo |
| openAccess |  | 5-Jul-2007 | Enhancement of the room temperature luminescence of InAs quantum dots by GaSb capping | Ripalda, José María ; Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Taboada, Alfonso G.; García Martínez, Jorge Manuel ; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa | artículo |
| closedAccess |  | 2012 | Fabrication and characterization of strain balanced InAs quantum posts | Alonso-Álvarez, Diego ; Alén, Benito ; Ripalda, José María ; Llorens Montolio, José Manuel ; Rivera de Mena, Antonio ; Taboada, Alfonso G.; González Díez, Yolanda ; González Sotos, Luisa ; Briones Fernández-Pola, Fernando | póster de congreso |
| closedAccess |  | 2014 | Fabrication of high quality factor GaAs/InAsSb photonic crystal microcavities by inductively coupled plasma etching and fast wet etching | Prieto-González, Iván ; Muñoz-Camuñez, Luis Enrique ; González Taboada, Alfonso; Robles Urdiales, Carmen ; Ripalda, José María ; Postigo, Pablo Aitor | artículo |
| openAccess |  | 29-Aug-2003 | First-principles study of the interaction of hydrogen with GaAs(001) | Ripalda, José María ; Khatiri, A.; Krzyzewski, T. J.; Gale, J. D.; Jones, T. S. | artículo |
| openAccess |  | 2009 | Formation of Spatially Addressed Ga(As)Sb Quantum Rings on GaAs(001) Substrates by Droplet Epitaxy | Alonso-González, Pablo ; González Sotos, Luisa ; Fuster, David ; González Díez, Yolanda ; Taboada, Alfonso G.; Ripalda, José María ; Beltrán, A. M.; Sales, David L.; Ben, Teresa; Molina, Sergio I. | artículo |
| closedAccess |  | 2016 | High aspect ratio and large area metallic nanogrids as transparent electrodes on optoelectronic devices | Pérez de San Román, Etor ; Prieto Aguilar, Iván ; Chaudhuri, Anabil; Neumann, Alexander; Brueck, Steven R. J.; Ripalda, José María | artículo |
